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    Assessment of the critical dimension prediction accuracy for the lumped parameter model for resist lithography
    Fuard, D. ; Schiavone, P.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 73/74 (2004-06-01), S. 53-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Reduction of airborne molecular contamination on an extreme ultraviolet reticle dual pod using clean dry air purging technology.
    Chiu, Bill ; Hu, Shih-Cheng ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 150 (2016-01-25), S. 1-6
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Correlation between electromigration and Cu-contact angle after de-wetting
    Vanypre, T. ; Cordeau, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-11-01), Heft 11-12, S. 2373-2376
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Measuring the Young's modulus of ultralow-k materials with the non destructive picosecond ultrasonic method
    Chapelon, L.L. ; Vitiello, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-11-01), Heft 11-12, S. 2346-2350
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    UV curing effects on mechanical and electrical performances of a PECVD non-porogen porous SiOC:H films (in k [2.2-2.4] range) for 45nm node and below
    Chapelon, L.L. ; Vitiello, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-11-01), Heft 11-12, S. 2136-2141
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    New techniques to characterize properties of advanced dielectric barriers for sub-65nm technology node
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-11-01), Heft 11-12, S. 2130-2135
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Impact of introducing CuSiN self-aligned barriers in advanced copper interconnects
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 82 (2005-12-01), Heft 3-4, S. 587-593
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Impact of dielectric stack and interface adhesion on mechanical properties of porous ultra low-k
    Vitiello, Julien ; Fuchsmann, Arno ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 82 (2005-12-01), Heft 3-4, S. 422-426
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Characterization of ultra-thin SiO.sub.2 by capacitance-voltage and charge pumping measurements
    Militaru, L. ; Poncet, A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 81 (2005-07-01), Heft 1, S. 59-65
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    LaAlO.sub.3 films prepared by MBE on LaAlO.sub.3(001) and Si(001) substrates
    Gaillard, S. ; Rozier, Y. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 80 (2005-06-17), S. 146-149
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Reduction of airborne molecular contamination on an extreme ultraviolet reticle dual pod using clean dry air purging technology
    Chiu, Bill ; Hu, Shih-Cheng ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 150 (2016), S. 1-6
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    UV curing effects on mechanical and electrical performances of a PECVD non-porogen porous SiOC:H films (in k [2.2–2.4] range) for 45 nm node and below
    Chapelon, L.L. ; Vitiello, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11, S. 2136-2141
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    New techniques to characterize properties of advanced dielectric barriers for sub-65 nm technology node
    Vitiello, J. ; Ducote, V. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11, S. 2130-2135
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impact of introducing CuSiN self-aligned barriers in advanced copper interconnects
    Chhun, S. ; Gosset, L.G. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 82 (2005), Heft 3, S. 587-593
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Characterization of ultra-thin SiO 2 by capacitance–voltage and charge pumping measurements
    Militaru, L. ; Poncet, A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 81 (2005), Heft 1, S. 59-65
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Charge dynamics of silicon nanocrystals in MOS capacitors
    Ferraton, S. ; Montès, L. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 73 (2004), S. 741-745
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Preferential nucleation of silicon nano-crystals on electron beam exposed SiO 2 surfaces
    Mazen, F. ; Mollard, L. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 73 (2004), S. 632-638
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Surface preparation and post thermal treatment effects on interface properties of thin Al 2O 3 films deposited by ALD
    Chang, Y. ; Ducroquet, F. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 72 (2004), Heft 1, S. 326-331
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Evidence of room temperature charging effects of silicon nanocrystals inside metal-oxide-semiconductor capacitors using feedback charge measurements
    Ferraton, S. ; Montès, L. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 67 (2003), S. 858-864
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Nucleation control of CVD growth silicon nanocrystals for quantum devices
    Baron, T. ; Mazen, F. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 61 (2002), S. 511-515
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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