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    Trap-assisted conduction in nitrided-oxide and re-oxidized nitrided-oxide n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
    Fleischer, S. ; Lai, P. T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 73 (1993-06-15), S. 8353-8358
    Online academicJournal
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    Trap‐assisted conduction in nitrided‐oxide and re‐oxidized nitrided‐oxiden‐channel metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistors
    Lai, P. T. ; Cheng, Y. C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 73 (1993-06-15), S. 8353-8358
    Online unknown
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    Disorder-induced photoluminescence up-conversion in InAs/GaAs quantum-dot samples
    Delalande, Claude ; Roussignol, Ph. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-04-15), S. 5489-5491
    Online unknown
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    Nanoscale selective area growth of thick, dense, uniform, In-rich, InGaN nanostructure arrays on GaN/sapphire template
    Sundaram, Suresh ; Salvestrini, Jean-Paul ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-10-28), S. 163105-163105
    Online unknown
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    A universal law to characterize ohmic contacts of small high electron mobility transistors
    Chaubet, Christophe ; Couturaud, O. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 110 (2011-12-01), S. 114512-114512
    Online unknown
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    Ballistic effects up to room temperature in microscopic Hall sensors
    Contreras, Sylvie ; Jouault, Benoit ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-04-01), S. 074504-74504
    Online unknown
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    Competition between InP and In2O3 islands during the growth of InP on SrTiO3
    Regreny, P. ; Hollinger, G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-08-01), S. 033509-33509
    Online unknown
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    Growth-interruption-induced low-density InAs quantum dots on GaAs
    Alloing, Blandine ; Njg Nicolas Chauvin ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008), Heft 8, S. 083508-83508
    Online unknown
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    Replication of photonic crystals by soft ultraviolet-nanoimprint lithography
    Pépin, A. ; Galli, Matteo ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-01-15), S. 024309-24309
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Electroabsorption spectroscopy of Ge∕Si self-assembled islands
    Saint-Girons, Guillaume ; Patriarche, Gilles ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-04-15), S. 083525-83525
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High reflectance dielectric distributed Bragg reflectors for near ultra-violet planar microcavities: SiO<subscript>2</subscript>/HfO<subscript>2</subscript> versus SiO<subscript>2</subscript>/SiN<subscript>x</subscript>.
    Réveret, F. ; Bignet, L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-07), Heft 9, S. 1-10
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High reflectance dielectric distributed Bragg reflectors for near ultra-violet planar microcavities: SiO2/HfO2 versus SiO2/SiNx.
    Réveret, F. ; Bignet, L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-07), Heft 9, S. 1-10
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    The microstructure of non-polar a-plane (1120) InGaN quantum wells.
    Griffiths, James T. ; Oehler, Fabrice ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-05-07), Heft 17, S. 1-6
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    Sensitivity and noise of micro-Hall magnetic sensors based on InGaAs quantum wells.
    Chenaud, B. ; Segovia-Mera, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-01-14), Heft 2, S. 24501-1- (7S.)
    Online academicJournal
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    Role of compositional fluctuations and their suppression on the strain and luminescence of InGaN alloys.
    Pantzas, Konstantinos ; Patriarche, Gilles ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-02-07), Heft 5, S. 55705-1- (10S.)
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    Nanoscale selective area growth of thick, dense, uniform, In-rich, InGaN nanostructure arrays on GaN/sapphire template.
    Sundaram, S. ; Puybaret, R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-10-28), Heft 16, S. 163105-1- (6S.)
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    High-T<subscript>c</subscript> superconducting Josephson mixers for terahertz heterodyne detection.
    Malnou, M. ; Feuillet-Palma, C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-08-21), Heft 7, S. 74505-1- (11S.)
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    Electrothermally driven high-frequency piezoresistive SiC cantilevers for dynamic atomic force microscopy.
    Boubekri, R. ; Cambril, E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-08-07), Heft 5, S. 54304-1- (9S.)
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    Quantum efficiency investigations of type-II InAs/GaSb midwave infrared superlattice photodetectors.
    Giard, E. ; Ribet-Mohamed, I. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-07-28), Heft 4, S. 43101-1- (6S.)
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    Improvement of the quality of graphene-capped InAs/GaAs quantum dots.
    Othmen, Riadh ; Rezgui, Kamel ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 115 (2014-06-07), Heft 21, S. 214309-1- (7S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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