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    MOVPE van der Waals epitaxial growth of AlGaN/AlGaN multiple quantum well structures with deep UV emission on large scale 2D h-BN buffered sapphire substrates
    Voss, Paul L. ; Li, Xin ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 352-356
    Online unknown
    Zugriff:
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    De-relaxation of plastically relaxed InAs/GaAs quantum dots during the growth of a GaAs encapsulation layer
    Saint-Girons, G. ; Sagnes, I. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-02-01), Heft 3, S. 536-540
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    GaAs nanowires formed by Au-assisted molecular beam epitaxy: Effect of growth temperature
    Harmand, J.C. ; Tchernycheva, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 301-302 (2007-04-01), S. 853-856
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural and photoluminescence studies of InAsN quantum dots grown on GaAs by MBE
    Sallet, V. ; Patriarche, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 290 (2006-04-15), Heft 1, S. 80-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Designing novel organogermanium OMVPE precursors for high-purity germanium films
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 287 (2006-01-25), Heft 2, S. 684-687
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Functionalizing surfaces with arrays of clusters: role of the defects
    Melinon, P. ; Hannour, A. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-15), Heft 1-2, S. 317-324
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Silicon surface preparation for III-V molecular beam epitaxy
    Mauguin, Olivia ; Bahri, Mounib ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 413 (2015-03-01), S. 17-24
    Online unknown
    Zugriff:
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    Suppression of crack generation in AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors grown by MOVPE
    Y. El Gmili ; Abid, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 12-15
    Online unknown
    Zugriff:
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    Growth of vertical and defect free InP nanowires on SrTiO3(001) substrate and comparison with growth on silicon
    Saint-Girons, Guillaume ; Penuelas, Jose ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 343 (2012-03-01), S. 101-104
    Online unknown
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Influence of the surface reconstruction on the growth of InP on SrTiO3(001)
    Patriarche, Gilles ; Naji, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-02-01), S. 1042-1045
    Online unknown
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Buried dislocation networks for the controlled growth of III–V semiconductor nanostructures
    Saint-Girons, Guillaume ; Glas, Frank ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-01), S. e1647- (7S.)
    Online unknown
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Buried dislocation networks for the controlled growth of III-V semiconductor nanostructures
    Glas, F. ; Coelho, J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-15), Heft 1-2, S. e1647
    academicJournal
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    Investigations on GaAsSbN/GaAs quantum wells for 1.3–1.55μm emission
    Patriarche, Gilles ; Ramos, J ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, 2001-07-01, S. 553-557
    Online unknown
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Study of the nucleation and growth of InP nanowires on silicon with gold-indium catalyst
    Mavel, Amaury ; Chauvin, Nicolas ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 458 (2017-01-15), S. 96-102
    academicJournal
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    InAs/InP nanowires grown by catalyst assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates
    Khmissi, H. ; Naji, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 344 (2012-04-01), Heft 1, S. 45-50
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Structural analysis of site-controlled InAs/InP quantum dots
    Fain, B. ; Elvira, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 334 (2011-11-01), Heft 1, S. 37-39
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Deep structural analysis of novel BGaN material layers grown by MOVPE
    Gautier, S. ; Patriarche, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 315 (2011), Heft 1, S. 288-291
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effect of arsenic species on the kinetics of GaAs nanowires growth by molecular beam epitaxy
    Sartel, C. ; Dheeraj, D.L. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010), Heft 14, S. 2073-2077
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Complete HVPE experimental investigations: Cartography of SAG GaN towards quasi-substrates or nanostructures
    Chelda-Gourmala, O. ; Trassoudaine, A. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010), Heft 12, S. 1899-1907
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Effects of GaNAsSb intermediate barriers on GaInNAsSb quantum well grown by molecular beam epitaxy
    Li, L.H. ; Sallet, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 263 (2004-03-01), Heft 1-4, S. 58-62
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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