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    Thermodynamics analysis of diffusion in spark plasma sintering welding Cr3C2 and Ni.
    Zhang, Fan ; Zhang, Jinyong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-03-21), Heft 11, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Thermodynamics analysis of diffusion in spark plasma sintering welding Cr<subscript>3</subscript>C<subscript>2</subscript> and Ni.
    Zhang, Fan ; Zhang, Jinyong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-03-21), Heft 11, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Light-controlled flexible tunable grating-based absorption spectroscopy for gas detection.
    Wang, Fei ; Jia, Shuhai ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-11-25), Heft 22, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    First principles calculation of La3Ta0.5Ga5.5O14 crystal with acceptor-like intrinsic point defects.
    Chung, Chan-Yeup ; Yaokawa, Ritsuko ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-12-01), Heft 11, S. 113505-1- (7S.)
    Online academicJournal
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    First principles calculation of La<subscript>3</subscript>Ta<subscript>0.5</subscript>Ga<subscript>5.5</subscript>O<subscript>14</subscript> crystal with acceptor-like intrinsic point defects.
    Chung, Chan-Yeup ; Yaokawa, Ritsuko ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-12-01), Heft 11, S. 113505-113511
    Online academicJournal
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    Flux pinning properties and microstructure of SmBa<subscript>2</subscript>Cu<subscript>3</subscript>O<subscript>y</subscript> thin films with systematically controlled BaZrO<subscript>3</subscript> nanorods.
    Ozaki, Toshinori ; Yoshida, Yutaka ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-11-01), Heft 9, S. 93905-93909
    Online academicJournal
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    Electrical conduction mechanism in nonstoichiometric La3Ta0.5Ga5.5O14.
    Yaokawa, Ritsuko ; Uda, Satoshi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-10-15), Heft 4, S. 64112-1- (9S.)
    Online academicJournal
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    Electrical conduction mechanism in nonstoichiometric La<subscript>3</subscript>Ta<subscript>0.5</subscript>Ga<subscript>5.5</subscript>O<subscript>14</subscript>.
    Yaokawa, Ritsuko ; Uda, Satoshi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-10-01), Heft 6, S. 64112-64120
    Online academicJournal
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    Effect of contact properties on current transport in metal/molecule/GaAs devices.
    Lodha, Saurabh ; Carpenter, Patrick ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-01-15), Heft 2, S. 24510-24518
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Time evolution studies of the electrostatic surface potential of low-temperature-grown GaAs using electrostatic force microscopy.
    Howell, S. W. ; Janes, D. B.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-02-15), Heft 4, S. 43703-43709
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Unpinned interface Fermi-level in Schottky contacts to n-GaAs capped with low-temperature-grown GaAs; experiments and modeling using defect state distributions.
    Lodha, Saurabh ; Janes, David B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003-03-01), Heft 5, S. 2772-2779
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Diffraction response of a low-temperature-grown photorefractive multiple quantum well modulator.
    Abeeluck, A. K. ; Garmire, E.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-03-01), Heft 5, S. 2578-2586
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A quantitative conduction model for a low-resistance nonalloyed ohmic contact structure utilizing low-temperature-grown GaAs.
    Chen, Nien-Po ; Ueng, H. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-07-01), Heft 1, S. 309-315
    Online academicJournal
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    Thermally stimulated current spectroscopy on silicon planar-doped GaAs samples.
    Rubinger, R. M. ; Bezerra, J. C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-10-01), Heft 7, S. 3764-3769
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Electrical conduction mechanism in nonstoichiometric La<subscript>3</subscript>Ta<subscript>0.5</subscript>Ga<subscript>5.5</subscript>O<subscript>14</subscript>.
    Yaokawa, Ritsuko ; Uda, Satoshi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-10-01), Heft 6, S. 64112-64120
    Online academicJournal
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    Photo-conductive detection of continuous THz waves via manipulated ultrafast process in nanostructures.
    Moon, Kiwon ; Lee, Eui Su ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-01-20), Heft 3, S. 31102-1- (5S.)
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    Terahertz radiation from n-type GaAs with Be-doped low-temperature-grown GaAs surface layers.
    Liu, Kai ; Arunas Krotkus, Y. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-09-01), Heft 5, S. 3651-3653
    Online academicJournal
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    A New Single Electron Tunneling Cell Based on Linear Threshold Gate.
    Bahrepour, Davoud ; Sharifi, Mohammad Javad
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1341 (2011-05-25), Heft 1, S. 148-152
    Konferenz
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    Flux pinning properties and microstructure of SmBa2Cu3Oy thin films with systematically controlled BaZrO3 nanorods.
    Ozaki, Toshinori ; Yoshida, Yutaka ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-11-01), Heft 9, S. 93905-1- (5S.)
    Online academicJournal
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    Temperature-dependent behavior of low-temperature-grown GaAs nonalloyed ohmic contacts.
    Ueng, H. J. ; Chen, N. P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 90 (2001-12-01), Heft 11, S. 5637-5641
    Online academicJournal
    Zugriff:
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