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    Rotation Error Detection of Gallium Nitride (GaN) Substrate in MBE Utilizing Ensemble Learning
    Anjum, Sharjeel ; Lee, Hyeong-Yeon ; et al.
    In: Crystal growth & design, Jg. 23 (2023), Heft 6, S. 4138-4146
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Selective Area Epitaxy of GaN Nanostructures; MBE Growth and Morphological Analysis
    Hasan, Syed M. N. ; You, Weicheng ; et al.
    In: Crystal growth & design, Jg. 23 (2023), Heft 6, S. 4098-4104
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Effective Mg Incorporation in CdMgO Alloy on Quartz Substrate Grown by Plasma-Assisted MBE
    Adhikari, A. ; Wierzbicka, A. ; et al.
    In: Acta physica polonica.A.General physics, solid state physics, applied physics, Jg. 143 (2023), Heft 3, S. 228-237
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Monitoring MBE Substrate Deoxidation via RHEED Image-Sequence Analysis by Deep Learning
    Khaireh-Walieh, Abdourahman ; Arnoult, Alexandre ; et al.
    In: Crystal growth & design, Jg. 23 (2023), Heft 2, S. 892-898
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    An extensive assessment of the performance of pairwise and many-body interaction potentials in reproducing ab initio benchmark binding energies for water clusters n = 2–25Electronic supplementary information (ESI) available: Extrapolation of n = 7, 10 clusters used in MBE analysis to CBS limit, energetic differences and percent deviations of the pairwise additive potentials relative to De benchmark energies, comparisons of the percent deviation with respect to the CBS value for the AMOEBA family and the EFP family of potentials, binding energies of pairwise additive potentials using GROMACS in MP (default), binding energies of older variants of many-body potentials, classification and properties of pairwise and many-body potentials, comparison of MP2/aVTZ and MP2/CBS many-body terms for n = 7, 10, 16, ratio of SPC and SPC/E binding energies, and the cartesian coordinates for n = 5, 8, 17, 53, 102 used in the molecular dipole analysis. See DOI: https://doi.org/10.1039/d2cp03241d
    Herman, Kristina M. ; Xantheas, Sotiris S.
    In: Physical chemistry chemical physics, Jg. 25 (2023), Heft 10, S. 7120-7143
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    PROFILE Elspeth Finch MBE FREng started her first company in her twenties and is now heading up her second, which is using data to transform supply chain relationships
    In: Ingenia, Jg. 94 (2023), S. 32-37
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    FT-BIN satisfaction and the lookahead problem in Mbe reduplication : 52nd Annual Meeting on North East Linguistic Society (NELS)
    Lin, Kuo-Chaio ; Lin, Chihkai
    In: Proceedings of NELS, Jg. 52 (2022), Heft 2, S. 199-202
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Evaluating the Maturity of MBE Application : 18th Conference on Product Lifecycle Management
    Corallo, Angelo ; Del Vecchio, Vito ; et al.
    In: International Federation for Information Processing -Publications- IFIP, Jg. 639 (2022), Heft 1, S. 401-415
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Growth of cubic InxGa1-xN over whole composition by MBE : Gallium Nitride Materials and Devices XVIII
    Zscherp, M. F. ; Jentsch, S. A. ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 12421 (2023), S. 124210B
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Impact of AlN buffer layers on MBE grown cubic GaN layers : Gallium Nitride Materials and Devices XVIII
    Schörmann, Jörg ; Zscherp, Mario F. ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 12421 (2023), S. 1242103
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    InAs/GaSb T2SL photodetector grown by MBE for gas imaging beyond infrared atmospheric window : AOPC 2022: Infrared Devices and Infrared Technology; and Terahertz Technology and Applications
    Zhan, Jian L. ; Xu, Jing J. ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, Jg. 12555 (2023), S. 125550K
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Nanoscale Morphology of Short-Period {CdO/ZnO} Superlattices Grown by MBE
    Przeździecka, Ewa ; Wierzbicka, Aleksandra ; et al.
    In: Crystal growth & design, Jg. 22 (2022), Heft 2, S. 1110-1115
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    AlN Buffer Enhances the Layer Quality of MBE-Grown Cubic GaN on 3C-SiC
    Zscherp, Mario F. ; Mengel, Nils ; et al.
    In: Crystal growth & design, Jg. 22 (2022), Heft 11, S. 6786-6791
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    MBE-Grown Hybrid Axial Core—Shell n-i-p GaAsSb Heterojunction Ensemble Nanowire-Based Near-Infrared Photodetectors up to 1.5 μm
    Ramaswamy, Priyanka ; Dawkins, Kendall ; et al.
    In: Crystal growth & design, Jg. 22 (2022), Heft 10, S. 6004-6014
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Demonstration of Zn-Diffused Planar Long-Wavelength Infrared Photodetector Based on Type-II Superlattice Grown by MBE
    Saroj, Rajendra K. ; Nguyen, Van Hoang ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 58 (2022), Heft 5, S. 1-6
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Peculiarities and evolution of Raman spectra of multilayer Ge/Si(001) heterostructures containing arrays of low‐temperature MBE‐grown Ge quantum dots of different size and number density: Experimental studies and numerical simulations
    Storozhevykh, Mikhail S. ; Arapkina, Larisa V. ; et al.
    In: Journal of Raman spectroscopy, Jg. 53 (2022), Heft 5, S. 853-862
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Peculiarities and evolution of Raman spectra of multilayer Ge/Si(001) heterostructures containing arrays of low‐temperature MBE‐grown Ge quantum dots of different size and number density: Experimental studies and numerical simulations
    Storozhevykh, Mikhail S. ; Arapkina, Larisa V. ; et al.
    In: Journal of Raman spectroscopy, Jg. 53 (2022), Heft 5, S. 853-862
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Single crystalline Ge thin film growth on c-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy (MBE)
    Wangila, Emmanuel ; Saha, Samir K. ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 24 (2022), Heft 24, S. 4372-4380
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    MBE-grown ultrathin PtTe2 films and their layer-dependent electronic structuresElectronic supplementary information (ESI) available: Table S1 and Fig. S1–S4. See DOI: https://doi.org/10.1039/d2nr00944g
    Zhang, Lei ; Yang, Tong ; et al.
    In: Nanoscale, Jg. 14 (2022), Heft 20, S. 7650-7658
    serialPeriodical
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Peculiarities and evolution of Raman spectra of multilayer Ge/Si(001) heterostructures containing arrays of low‐temperature MBE‐grown Ge quantum dots of different size and number density: Experimental studies and numerical simulations
    Storozhevykh, Mikhail S. ; Arapkina, Larisa V. ; et al.
    In: Journal of Raman spectroscopy, Jg. 53 (2022), Heft 5, S. 853-862
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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