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    Two dimensional photonic crystal nanocavities with InAs/GaAs quantum dot active regions embedded by MBE regrowth
    Vo, Quoc Huy ; Ota, Yasutomo ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 57 (2018), Heft 8, S. 08PD03
    serialPeriodical
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    Plasma-excited MBE—proposal and achievements through R&D of compound semiconductor materials and devices
    Yamaguchi, Tomohiro ; Nanishi, Yasushi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 61 (2022), S. SA0810
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    High-temperature MBE growth of Si-Direct current heating effects on (111) and (001) vicinal surfaces
    STOYANOV, S. S ; ICHIKAWA, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 32 (1993), Heft 5A, S. 2047-2051
    academicJournal
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    High-quality InN films on GaN using graded InGaN buffers by MBE
    Islam, S. M. ; Protasenko, Vladimir ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 55 (2016), Heft 5, S. 05FD12
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements
    Sasaki, Takuo ; Ishikawa, Fumitaro ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 55 (2016), Heft 5, S. 05FB05
    serialPeriodical
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    TEM Moiré pattern and scanning Auger electron miscroscope analysis of anomalous Si incorporation into MBE-grown Ge on Si(111)
    SUGII, K ; ISHIZAWA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 10, S. 3296-3300
    academicJournal
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