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    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO2MOSCAP's : effect of GaAs surface reconstruction
    WEBB, D. J ; FOMPEYRINE, J ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2142-2145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Enhanced photoluminescence from free-standing microstructures fabricated on MBE grown PbSe-PbSrSe MQW structure
    MUKHERJEE, S ; JAIN, S ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 85 (2008), Heft 4, S. 665-669
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Effect of boiling aqua regia on MOCVD and MBE p-type GaN surfaces and Cr/p-GaN interfaces
    Kalaitzakis, F.G. ; Konstantinidis, G. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 90 (2012-02-01), S. 115-117
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Structural properties of semipolar InGaN/GaN quantum dot superlattices grown by plasma-assisted MBE
    Lotsari, A. ; Dimitrakopulos, G.P. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 90 (2012-02-01), S. 108-111
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Electron tunneling in MIS capacitors with the MBE-grown fluoride layers on Si(1 1 1) and Ge(1 1 1): Role of transverse momentum conservation
    Illarionov, Y.Y. ; Vexler, M.I. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011), Heft 7, S. 1291-1294
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Electron tunneling in MIS capacitors with the MBE-grown fluoride layers on Si(111) and Ge(111): Role of transverse momentum conservation : Biennial international insulating films on semiconductor conference
    Illarionov, Y.Y. ; Vexler, M.I. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 88 (2011), Heft 7, S. 1291-1294
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Ge integration on Si via rare earth oxide buffers: From MBE to CVD (Invited Paper) : Insulating films on semiconductors; INFOS 2009
    Schroeder, T. ; Giussani, A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 86 (2009), Heft 7/9, S. 1615-1620
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Characteristics of GdGaO grown by MBE : Advanced gate stack technology: ISAGST
    Holland, M. ; Longo, P. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 86 (2009), Heft NO 3, S. 244-248
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO2 MOSCAP's: effect of GaAs surface reconstruction : Biennial conference on insulating films on semiconductors; Infos 2007
    Webb, D. J. ; Fompeyrine, J. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2142-2145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    LaAlO3 films prepared by MBE on LaAlO3(001) and Si(001) substrates : Insulating films on semiconductors; Infos 2005
    Gaillard, S. ; Rozier, Y. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 80 (2005), S. 146-149
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Two dimensional phonon-drag thermopower in Si~0~.~8~7Ge~0~.~1~3/Si(001) heterostructure grown by MBE : International conference on low dimensional structures & devices; LDSD '99
    Agan, S. ; Mironov, O. A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. S 51-52 (2000), S. 527-534
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Novel quantum wire and quantum dot structures on patterned high-index surfaces by hydrogen-assisted MBE : New phenomena in mesoscopic structures
    Ploog, K. H. ; Notzel, R.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 47 (1999), Heft NO 1-4, S. 209-214
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Realization of InP-based InGaAs single electron transistors on wires and dots grown by selective MBE : New phenomena in mesoscopic structures
    Muranaka, T. ; Okada, H. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 47 (1999), Heft NO 1-4, S. 201-204
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Deep levels in MBE grown AlGaAs/GaAs heterostructures
    CAVALLINI, A ; FRABONI, B ; et al.
    In: Proceedings of the 29th Conference on Micro and Nano Engineering, September 22-25, 2003, Cambridge, United Kingdom, Jg. 73-74 (2004), S. 954-959
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    MBE-growth of a Ge-CoSi2-Si heterostructure for vertical metal-semiconductor-metal photodetectors
    WINNERL, S ; KAPPIUS, L ; et al.
    In: Proceedings of the fifth european workshop on materials for advanced metallization (MAM 2001), Sigtuna, Sweden, March 5-7, Jg. 60 (2002), Heft 1-2, S. 191-196
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Pre-structuring of silicon substrates to investigate MBE-growth of SiGe layers
    DAVID, C ; HARTMANN, R ; et al.
    In: Micro- and Nano- Engineering 98, MNE. Proceedings of the International Conference on Micro- and Nanofabrication, September 22-24 1998, Leuven, Belgium, Jg. 46 (1999), Heft 1-4, S. 275-278
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO 2 MOSCAP’s: effect of GaAs surface reconstruction
    Webb, D.J. ; Fompeyrine, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007), Heft 9, S. 2142-2145
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effect of RuO2 electrode on laser-MBE prepared HfO2gate dielectrics
    LU, Y. K ; ZHU, W ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 2, S. 371-375
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Numerical gate capacitance-voltage characteristics and electronic structure of MBE silicon delta-FETs
    MANZOLI, J. E ; HIPOLITO, O
    In: LDSD'97, Jg. 43-44 (1998), S. 661-667
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Atom diffusion during MBE growth on patterned substrate
    JIANG, JIAN ; ZHOU, J. X ; et al.
    In: LDSD'97, Jg. 43-44 (1998), S. 409-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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