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58 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Interface-supersaturation estimated from the shape of steps on the surface of InP MCE by LPE
    NARITSUKA, Shigeya ; NISHINAGA, Tatau
    In: Journal of crystal growth, Jg. 222 (2001), Heft 1-2, S. 14-19
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Nachschlagewerk
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Interface-supersaturation estimated from the shape of steps on the surface of InP MCE by LPE
    Nishinaga, Tatau ; Naritsuka, Shigeya
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 222 (2001), S. 14-19
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Microchannel epitaxy: an overview
    NISHINAGA, Tatau
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1410-1417
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A new way to achieve both selective and lateral growth by molecular beam epitaxy : low angle incidence microchannel epitaxy
    BACCHIN, G ; NISHINAGA, T
    In: Journal of crystal growth, Jg. 208 (2000), Heft 1-4, S. 1-10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Growth and magnetocaloric effect of Na2Gd2(BO3)2O crystal.
    Chen, Yuwei ; Liu, Wang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 633 (2024-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A-plane GaN microchannel epitaxy on r-plane sapphire substrate using patterned graphene mask.
    Naritsuka, Shigeya ; Kato, Yukio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 630 (2024-03-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Experimental determination of dependence of vertical growth rate on surface supersaturation in GaAs(001) microchannel epitaxy and growth optimization.
    Tomita, Masafumi ; Mizuno, Yosuke ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 440 (2016-04-15), S. 13-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Effect of dislocation density on microchannel epitaxy of GaAs on GaAs/Si substrate
    Chang, Yung-Sheng ; Naritsuka, Shegeya ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-02-15), Heft 5, S. 629-634
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A new way to achieve dislocation-free heteroepitaxial growth by molecular beam epitaxy: vertical microchannel epitaxy
    Matsunaga, Y. ; Naritsuka, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-02), Heft 1-2, S. 1460-1465
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Optimization of InP microchannel epitaxy on Si substrate achieved by addition of upper source
    NARITSUKA, S ; NISHINAGA, T ; et al.
    In: American crystal growth and epitaxy 1999, Jg. 211 (2000), Heft 1-4, S. 395-399
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Two-dimensional nucleation at stacking fault during InP microchannel epitaxy
    NARITSUKA, S ; ZHENG, YAN ; et al.
    In: Crystal Growth 1998: Proceedings of the 12th International Conference on Crystal Growth and the 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Jerusalem, Israel, July 26-31, 1998. Part 2: 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy and Specialist Workshops on Crystal Growth. Sections XII-XVI. Workshops II-III, Jg. 198-99 (1999), S. 1082-1086
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Interface supersaturation dependence of step velocity in liquid-phase epitaxy of InP
    ZHENG, YAN ; NARITSUKA, S ; et al.
    In: Crystal Growth 1998: Proceedings of the 12th International Conference on Crystal Growth and the 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Jerusalem, Israel, July 26-31, 1998. Part 2: 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy and Specialist Workshops on Crystal Growth. Sections XII-XVI. Workshops II-III, Jg. 198-99 (1999), S. 1077-1081
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Two-dimensional numerical calculation of solute diffusion in microchannel epitaxy of InP
    ZHENG, YAN ; NARITSUKA, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 209 (2000), Heft 1, S. 1-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Coalescence in microchannel epitaxy of InP
    ZHENG, YAN ; HAMAOKA, Y ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 212 (2000), Heft 1-2, S. 1-10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Liquid-phase epitaxy (LPE) microchannel epitaxy of InP with high reproducibility achieved by predeposition of In thin layer
    NARITSUKA, S ; NISHINAGA, T
    In: Journal of crystal growth, Jg. 203 (1999), Heft 4, S. 459-463
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Interface supersaturation in microchannel epitaxy of InP
    ZHENG, YAN ; NARITSUKA, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 203 (1999), Heft 1-2, S. 25-30
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Step sources in microchannel epitaxy of InP
    ZHENG, YAN ; NARITSUKA, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 192 (1998), Heft 1-2, S. 11-17
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Optimization of growth condition for wide dislocation-free GaAs on Si substrate by microchannel epitaxy
    CHANG, Y. S ; NARITSUKA, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 192 (1998), Heft 1-2, S. 18-22
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Experimental determination of dependence of vertical growth rate on surface supersaturation in GaAs(001) microchannel epitaxy and growth optimization
    Takakura, H. ; Naritsuka, Shigeya ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 440 (2016-04-01), S. 13-16
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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