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    On an AlGaInP Light-Emitting Diode With a Modulation-Doped Multiquantum-Well (MD-MQW) Structure
    YEN, Chih-Hung ; LIU, Yi-Jung ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 45 (2009), Heft 3-4, S. 367-372
    Online academicJournal
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    Analysis of Nonlinear Multilayered Waveguides and MQW Structures : A Field Evolution Approach Using Finite-Difference Formulation
    ROY, Sourabh ; CHAUDHURI, Partha Roy
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 45 (2009), Heft 3-4, S. 345-350
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Optimization of InGaN―GaN MQW Photodetector Structures for High-Responsivity Performance
    PEREIRO, Juan ; RIVERA, Carlos ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 45 (2009), Heft 5-6, S. 617-622
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Design and Fabrication of 1.35- Laser Diodes With Full Digital-Alloy InGaAlAs MQW
    Heo, D. ; Song, J.D. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, Jg. 49 (2013), Heft 1, S. 24-30
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of the temperature sensitivity of gain and recombination mechanisms in 1.3-μm AlGaInAs MQW lasers
    HOULE, T. J ; YONG, J. C. L ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 41 (2005), Heft 2, S. 132-139
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Highly Reliable High-Speed 1.1- Formula Not Shown m-Range VCSELs With InGaAs/GaAsP-MQWs
    Hatakeyama, H. ; Anan, T. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, Jg. 46 (2010), Heft 6, S. 890-897
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Improved Performance of GaN-Based Blue LEDs With the InGaN Insertion Layer Between the MQW Active Layer and the n-GaN Cladding Layer
    Jang, C. H. ; Sheu, J. K. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, Jg. 46 (2010), Heft 4, S. 513-517
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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    A Monolithic MQW InP-InGaAsP-Based Optical Comb Generator
    RENAUD, Cyril C ; PANTOUVAKI, Marianna ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 43 (2007), Heft 11-12, S. 998-1005
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Continuously wavelength-tunable MQW fabry-perot laser diode pulse source with a fiber-based external cavity
    WANG, Yi-Ping ; WANG, D. N ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 42 (2006), Heft 9-10, S. 868-872
    Online academicJournal
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    1.3-μm InAsP modulation-doped MQW lasers
    SHIMIZU, H ; KUMADA, K ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 36 (2000), Heft 6, S. 728-735
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Role of p-doping profile and regrowth on the static characteristics of 1.3-μm MQW InGaAsP-InP lasers : Experiment and modeling
    BELENKY, G. L ; REYNOLDS, C. L ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 35 (1999), Heft 10, S. 1515-1520
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Characterization of the Temperature Sensitivity of Gain and Recombination Mechanisms in 1.3-mum AlGaInAs MQW Lasers
    Houle, T. J. ; Yong, J. C. L. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, Jg. 41 (2005), Heft 2, S. 132-139
    Online serialPeriodical
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    The effect of varying barrier height on the operational characteristics of 1.3-μm strained-layer MQW lasers
    HAZELL, J. F ; SIMMONS, J. G ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 34 (1998), Heft 12, S. 2358-2363
    Online academicJournal
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    Novel design scheme for high-speed MQW lasers with enhanced differential gain and reduced carrier transport effect
    MATSUI, Y ; MURAI, H ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 34 (1998), Heft 12, S. 2340-2349
    Online academicJournal
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    Threshold currents of 1.3-μm bulk, 1.55-μm bulk, and 1.55-μm MQW DFB P-substrate partially inverted buried heterostructure laser diodes
    KAKIMOTO, S ; WATANABE, H
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 34 (1998), Heft 3, S. 540-547
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Threshold current, differential gain, and relaxation resonance frequency of 1.55-μm bulk and MQW DFB laser diodes
    KAKIMOTO, S ; WATANABE, H
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 34 (1998), Heft 7, S. 1231-1239
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    On the operational and manufacturing tolerances of GaAs-AlAs MQW modulators
    GOOSSEN, K. W ; CUNNINGHAM, J. E ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 34 (1998), Heft 3, S. 431-438
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    Low-drive-voltage MQW electroabsorption modulator for optical short-pulse generation
    OSHIBA, S ; NAKAMURA, K ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 34 (1998), Heft 2, S. 277-281
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    Enhanced modulation bandwidth for strain-compensated InGaAlAs-InGaAsP MQW lasers
    MATSUI, Y ; MURAI, H ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 34 (1998), Heft 10, S. 1970-1978
    Online academicJournal
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    Bifurcation in 20-GHz gain-switched 1.55-μm MQW lasers and its control by CW injection seeding
    MATSUI, Y ; KUTSUZAWA, S ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 34 (1998), Heft 7, S. 1213-1223
    Online academicJournal
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    Volltext
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