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    Optically Induced Degradation Due to Thermally Activated Diffusion in GaN-Based InGaN/GaN MQW Solar Cells
    Nicoletto, Marco ; Caria, Alessandro ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 70 (2023), Heft 3, S. 1115-1120
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    Long-Term Degradation Behavior of 2.3- Wavelength Highly Strained InAs/InP MQW-DFB Lasers With a p-/n-InP Buried Heterostructure
    Takeshita, T. ; Sato, T. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 4, S. 1056-1062
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Conduction Mechanisms and Low-Frequency Electrical Noise Studies in pin InGaAs/InAlAs Strained MQW Photodiodes
    Pires, M. P. ; Guastavino, F. C. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 9, S. 1949-1953
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Nitride-Based MQW LEDs With Multiple GaN-SiN Nucleation Layers
    Wei, S. C. ; Su, Y. K. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 6, S. 1104-1109
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Long-term degradation behavior of 2.3- \mu\hbox {m} wavelength highly strained InAs/InP MQW-DFB lasers with a p-/n-InP buried heterostructure
    Takeshita, T. ; Sato, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 1056-1062
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Nitride-based MQW LEDs with multiple GaN-SiN nucleation layers
    Wei, S.C. ; Su, Y.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-06-01), Heft 6, S. 1104-1109
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Improved 634 nm MQW A1GaInP LEDs performance with novel tensile strain barrier reducing layer
    Yan-Kuin, Su ; Hao-Hui, Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 12, S. 2388-4779
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    Improved 634 nm MQW AlGaInp LEDs Performance With Novel Tensile Strain Barrier Reducing Layer.
    Su, Juh-Yuh ; Hsin-Chuan Wang, Victor ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 12, S. 2388-2392
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    Long-Term Degradation Behavior of 2.3-$\mu\hbox{m}$ Wavelength Highly Strained InAs/InP MQW-DFB Lasers With a p-/n-InP Buried Heterostructure
    Ishii, H. ; Yoshimura, Ryoko ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), S. 1056-1062
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
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    Conduction Mechanisms and Low-Frequency Electrical Noise Studies in pin InGaAs/InAlAs Strained MQW Photodiodes
    Valenza, M. ; Pires, M.P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), S. 1949-1953
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
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