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    Free and bound excitonic effects in Al0.5Ga0.5N/Al0.35Ga0.65N MQWs with different Si-doping levels in the well layers
    Xu, Fujun ; Hou, Mengjun ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 5 (2015-08-12)
    Online unknown
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    Investigation of carrier confinement in direct bandgap GeSn/SiGeSn 2D and 0D heterostructures
    Rainko, Denis ; Ikonic, Zoran ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 8 (2018-10-01), Heft 1, S. 1-13
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    Free and bound excitonic effects in Al<subscript>0.5</subscript>Ga<subscript>0.5</subscript>N/Al<subscript>0.35</subscript>Ga<subscript>0.65</subscript>N MQWs with different Si-doping levels in the well layers.
    He, Chenguang ; Qin, Zhixin ; et al.
    In: Scientific Reports, 2015-08-14, S. 13046-13046
    Online academicJournal
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    The role of nonequilibrium LO phonons, Pauli exclusion, and intervalley pathways on the relaxation of hot carriers in InGaAs/InGaAsP multi-quantum-wells.
    Zou, Yongjie ; Esmaielpour, Hamidreza ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 13 (2023-04-05), Heft 1, S. 1-13
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    Study of all-group-IV SiGeSn mid-IR lasers with dual wavelength emission.
    Abernathy, Grey ; Ojo, Solomon ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 13 (2023-10-28), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Distinct BOLD variability changes in the default mode and salience networks in Alzheimer's disease spectrum and associations with cognitive decline.
    Zhang, L ; Zuo, XN ; et al.
    In: Scientific reports, Jg. 10 (2020-04-15), Heft 1, S. 6457
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    The role of nonequilibrium LO phonons, Pauli exclusion, and intervalley pathways on the relaxation of hot carriers in InGaAs/InGaAsP multi-quantum-wells
    Zou, Yongjie ; Esmaielpour, Hamidreza ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 13 (2023-04-01), Heft 1, S. 1-13
    Online academicJournal
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    Strain-induced yellow to blue emission tailoring of axial InGaN/GaN quantum wells in GaN nanorods synthesized by nanoimprint lithography.
    Avit, Geoffrey ; Robin, Yoann ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 11 (2021-03-24), Heft 1, S. 1-10
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    A discrete core-shell-like micro-light-emitting diode array grown on sapphire nano-membranes.
    Lee, Seungmin ; Kim, Jongmyeong ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 10 (2020-05-05), Heft 1, S. 1-11
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    Linear and nonlinear optical probing of various excitons in 2D inorganic-organic hybrid structures.
    Adnan, Mohammad ; Baumberg, Jeremy J. ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 10 (2020-02-13), Heft 1, S. 1-10
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    Wave-shaped temperature dependence characteristics of the electroluminescence peak energy in a green InGaN-based LED grown on silicon substrate.
    Li, Changfu ; Li, Jianfei ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 10 (2020-01-10), Heft 1, S. 1-7
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    Strain-induced yellow to blue emission tailoring of axial InGaN/GaN quantum wells in GaN nanorods synthesized by nanoimprint lithography
    Avit, Geoffrey ; Robin, Yoann ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 11 (2021-03-01), Heft 1, S. 1-10
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    Design and optimization of high temperature optocouplers as galvanic isolation.
    Sabbar, Abbas ; Madhusoodhanan, Syam ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 12 (2022-02-09), Heft 1, S. 1-9
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    Dimension- and position-controlled growth of GaN microstructure arrays on graphene films for flexible device applications.
    Yoo, Dongha ; Lee, Keundong ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 11 (2021-09-01), Heft 1, S. 1-7
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    Study of all-group-IV SiGeSn mid-IR lasers with dual wavelength emission
    Abernathy, Grey ; Ojo, Solomon ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 13 (2023-10-01), Heft 1, S. 1-7
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    Demonstration of electron beam laser excitation in the UV range using a GaN/AlGaN multiquantum well active layer
    Hayashi, Takafumi ; Kawase, Yuta ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 7 (2017-06-01), Heft 1, S. 1-5
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    Influence of an InGaN superlattice pre-layer on the performance of semi-polar (11–22) green LEDs grown on silicon.
    Zhao, X. ; Huang, K. ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 10 (2020-07-28), Heft 1, S. 1-8
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    Enhancing carrier transport and carrier capture with a good current spreading characteristic via graphene transparent conductive electrodes in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes.
    Feng, Shih-Wei ; Wang, Ying-Hsiang ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 10 (2020-06-29), Heft 1, S. 1-8
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