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    academicJournal
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    Comparing Optical Properties of GaN/InGaN Based LEDs Using Different MQWs and SO2 Nano Lenses.
    Rahman, Muhammad Towfiqur ; Islam, Md. Rajibul
    In: International Journal of Microwave & Optical Technology, Jg. 17 (2022-05-01), Heft 3, S. 296-302
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Conduction mechanisms and low-frequency electrical noise studies in pin InGaAs/InAlAs strained MQW photodiodes
    Pires, M.P. ; Guastavino, F.C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), Heft 9, S. 1949-1953
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Study of Stark Effect in n-doped 1.55 μm InN0.92yP1−1.92yBiy/InP MQWs.
    Bilel, C. ; Chakir, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-08-01), Heft 8, S. 4757-4763
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    academicJournal
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    Wideband Steady-State Model of a Strained InGaAsP MQW-SOA
    Connelly, M.J. ; Mazzucato, S. ; et al.
    In: Journal of Lightwave Technology, Jg. 34 (2016-06-01), Heft 11, S. 2656-2656
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of a Direct-Bandgap GeSn-Based MQW Transistor Laser for Mid-Infrared Applications.
    Basu, Rikmantra ; Kaur, Jaspinder ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-10-01), Heft 10, S. 6335-6346
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    academicJournal
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    Nitride-based MQW LEDs with multiple GaN-SiN nucleation layers
    Wei, S.C. ; Su, Y.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-06-01), Heft 6, S. 1104-1109
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Extremely low threshold current operation of 638 nm GaInP/AlGaInP strained MQW lasers
    Mannoh, M. ; Kamiyama, S. ; et al.
    In: 1992 International Technical Digest on Electron Devices Meeting, 1992, S. 867-870
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Scanning e-beam pumped resonant periodic gain VCSEL based on an MOVPE-grown GaInP/A1GaInP MQW structure
    BONDAREV, V. Yu ; KOZLOVSKY, V. I ; et al.
    In: 12th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Jg. 272 (2004), Heft 1-4, S. 559-563
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Researchers from Xi'an Polytechnic University Provide Details of New Studies and Findings in the Area of Photoelectrochemicals (Formation and Increased Photoelectrochemical Properties of Free- Standing Nanoporous Gan-based Mqw Photoanodes ...)
    In: Biotech Week, 2023-03-22, S. 513
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    A broad-band MQW semiconductor optical amplifier with high saturation output power and low noise figure
    Morito, K. ; Tanaka, S. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 17 (2005-05-01), Heft 5, S. 974-976
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Electrical Properties of Dilute Nitride GaAsPN/GaPN MQW p- i- n Diode.
    Sertel, T. ; Ozen, Y. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 46 (2017-07-01), Heft 7, S. 4590-4595
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Wide temperature operational range of a 1310 nm AlGaInAs MQW-DFB laser with silicon oxynitride as a facet coating
    WANG, Chi-Yu ; HSU, Jin-Cheng ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 9, S. 940-943
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Observation of coherent acoustic phonon lasing in InGaN/GaN MQWs
    Huang, Yue-Kai ; Chern, Gia-Wei ; et al.
    In: 2002 Summaries of Papers Presented at the Quantum Electronics and Laser Science Conference, 2002, S. 197-198
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Polarization dependence of linewidth enhancement factor in InGaAs/InGaAsP MQW material
    Jepsen, K.S. ; Storkfelt, N. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 30 (1994-03-01), Heft 3, S. 635-639
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High-frequency characterization of 30 GHz p-type modulation-doped In/sub 0.35/Ga/sub 0.65/As/GaAs MQW lasers
    Weisser, S. ; Ralston, J.D. ; et al.
    In: 1992 International Technical Digest on Electron Devices Meeting, 1992, S. 1009-1011
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Analysis of Nonlinear Multilayered Waveguides and MQW Structures : A Field Evolution Approach Using Finite-Difference Formulation
    ROY, Sourabh ; CHAUDHURI, Partha Roy
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 45 (2009), Heft 3-4, S. 345-350
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Reports from Xi'an Polytechnic University Add New Data to Findings in Photocatalytics (Preparation and Enhanced Photocatalytic Properties of the Large-area Transferred Mesoporous Ingan-based Mqws With Mesoporous Gan Reflectors).
    In: Technology News Focus, 2022-12-07, S. 3782
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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