Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
38.373 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

Geographischer Bezug

38.373 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    A 32 ㎚ NPN SOI HBT with Programmable Power Gain and 839 ㎓V ftBVCEO Product
    Prasanna Kumar Misra ; Qureshi, S.
    In: JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, Jg. 14 (2014-12-31), Heft 6, S. 712-716
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    3.7 A β-Compensated NPN-Based Temperature Sensor with ±0.1°C (3σ) Inaccuracy from -55°C to 125°C and a 200fJ·K2 Resolution FoM.
    Toth, Nandor G. ; Makinwa, Kofi A. A.
    In: ISSCC, 2024, S. 66-68
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Impact of Carriers Injection Level on Transients of Discrete and Paralleled Silicon and 4H-SiC NPN BJTs
    Shen, C. ; Jahdi, S. ; et al.
    In: IEEE Open Journal of the Industrial Electronics Society, Jg. 3 (2022), S. 65-80
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    A 210 nW NPN-Based Temperature Sensor With an Inaccuracy of ±0.15 °C (3σ) From −15 °C to 85 °C Utilizing Dual-Mode Frontend
    Someya, T. ; van Hoek, V. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 5 (2022), S. 272-275
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Empirical modeling of the parasitic npn bipolar transistor in Silicon
    Quax, Guido ; De Raad, Gijs
    In: 2021 43rd Annual EOS/ESD Symposium (EOS/ESD), Jg. 43 (2021-09-26), S. 1-11
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    A Novel Lateral Reverse Conducting Trench IGBT on SOI employing NPN bipolar with small area penalty and switching energy loss
    Liu, Suyang ; Zhang, Yue ; et al.
    In: 2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2022-03-06, S. 204-206
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    5G Networks for Industrial Applications: the Ecosystem of NPNs
    In: 2021 IEEE International Conference on Advanced Networks and Telecommunications Systems (ANTS), 2021-12-13, S. 54-59
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    5G Non-Public-Networks (NPN) Roaming Architecture
    Corici, Marius ; Chakraborty, Pousali ; et al.
    In: 2021 12th International Conference on Network of the Future (NoF), 2021-10-06, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Device comprising a PNP bipolar transistor and NPN bipolar transistor for radiofrequency applications
    STMicroelectronics (Crolles 2), SAS
    2024
    Online Patent
    Zugriff:
    View record in USPTO Patent Grants (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Experimental determination of intrinsic carrier density in 4H-SiC based on electron diffusion current in an npn bipolar junction transistor.
    Asada, Satoshi ; Murata, Koichi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-12-21), Heft 23, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Laser-Assisted Simulation of Dose-Rate Effects of Neutron-Irradiated NPN Transistors
    Tang, G. ; Sun, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1167-1175
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    NPN双极型晶体管抗辐照加固研究
    李飞
    In: 微处理机 / Microprocessors, Jg. 40 (2019), Heft 5, S. 1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响
    李骏;王健安;吴雪;李兴冀;杨剑群;王志宽
    In: 现代应用物理 / Modern Applied Physics, Jg. 10 (2019), Heft 3, S. 54
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    NPN mismatch dependence on layout
    Compton, Cory
    In: 2018 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2018-03-01, S. 102-107
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    Hydrogen transfer reaction to imines with 2-propanol catalyzed by ruthenium (II) complexes containing nitrogen-phosphorus (NPN) ligands. Experimental and computational studies
    Negrete-Vergara, Camila ; Vega, Andrés ; et al.
    In: Inorganica Chimica Acta, Jg. 568 (2024-08-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    Optimization of NPN ESD Protection Device for Improved Failure Current
    Zeng, Jie ; Kumar, Raunak ; et al.
    In: 2020 International EOS/ESD Symposium on Design and System (IEDS), 2021-06-23, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    Design Optimization of High Voltage NPN ESD Protection Device in 130nm Power SOI Technology
    Kumar, Raunak ; Zeng, Jie ; et al.
    In: 2020 International EOS/ESD Symposium on Design and System (IEDS), 2021-06-23, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Performance of a 5G NPN in industry: statistical analysis and application to black channel protocols
    Lyczkowski, Eike ; Junkes, Konrad ; et al.
    In: 2021 26th IEEE International Conference on Emerging Technologies and Factory Automation (ETFA ), 2021-09-07, S. 1-8
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -