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    A 23.6-Mb/mm<inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$^{2}$ </tex-math></inline-formula> SRAM in 10-nm FinFET Technology With Pulsed-pMOS TVC and Stepped-WL for Low-Voltage Applications
    Guo, Zheng ; Kim, Daeyeon ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 54 (2019), Heft 1, S. 210-216
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A 23.6-Mb/mm<inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$^{2}$ </tex-math></inline-formula> SRAM in 10-nm FinFET Technology With Pulsed-pMOS TVC and Stepped-WL for Low-Voltage Applications
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 54 (2019), Heft 1, S. 210-216
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    A 23.6-Mb/mm <tex-math notation='LaTeX'>$^{2}$ </tex-math> SRAM in 10-nm FinFET Technology With Pulsed-pMOS TVC and Stepped-WL for Low-Voltage Applications
    Guo, Zheng ; Nalam, Satyanand ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019), S. 210-216
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A 23.6-Mb/mm $^{2}$ SRAM in 10-nm FinFET Technology With Pulsed-pMOS TVC and Stepped-WL for Low-Voltage Applications.
    Guo, Zheng ; Kim, Daeyeon ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019), Heft 1, S. 210-216
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    academicJournal
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    A 0.5 V PWM CMOS Imager With 82 dB Dynamic Range and 0.055% Fixed-Pattern-Noise.
    Chung, Meng-Ting ; Lee, Chih-Lin ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 48 (2013-10-01), Heft 10, S. 2522-2530
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    An ULV PWM CMOS Imager With Adaptive-Multiple-Sampling Linear Response, HDR Imaging, and Energy Harvesting.
    Chiou, Albert Yen-Chih ; Hsieh, Chih-Cheng
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019), Heft 1, S. 298-306
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 0.6 V, 1.5 GHz 84 Mb SRAM in 14 nm FinFET CMOS Technology With Capacitive Charge-Sharing Write Assist Circuitry.
    Karl, Eric ; Guo, Zheng ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 51 (2016), Heft 1, S. 222-229
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    An ULV PWM CMOS Imager With Adaptive-Multiple-Sampling Linear Response, HDR Imaging, and Energy Harvesting
    Hsieh, Chih-Cheng ; Albert Yen-Chih Chiou
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019), S. 298-306
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 0.6 V, 1.5 GHz 84 Mb SRAM in 14 nm FinFET CMOS Technology With Capacitive Charge-Sharing Write Assist Circuitry
    Keane, John ; Kim, Daeyeon ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 51 (2016), S. 222-229
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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