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447 Treffer

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    A TWN Inspired Speaker Verification Processor with Hardware-friendly Weight Quantization
    Zhang, Xuanhao ; Wu, Haige ; et al.
    In: 2022 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA), 2022-10-28, S. 160-161
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    A TWN Inspired Speaker Verification Processor with Hardware-friendly Weight Quantization.
    Zhang, Xuanhao ; Wu, Haige ; et al.
    In: ICTA, 2022, S. 160-161
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    On the derivation of the TWNs from the Kirchhoff's laws
    Wehrhahn, E.
    In: 1993 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 1993-05-01, S. 2553-2553
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    On the derivation of the TWN's from the Kirchhoff's laws.
    Wehrhahn, Erich
    In: ISCAS, 1993, S. 2553-2555
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    On the derivation of the TWN's from Kirchhoff's laws
    Wehrbahn, E.
    In: 1993 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2005
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    On the derivation of the TWNs from the Kirchhoff's laws
    Wehrhahn, E.
    In: 1993 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2002
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Ternary Weight Networks
    Liu, Bin ; Li, Fengfu ; et al.
    In: ICASSP 2023 - 2023 IEEE International Conference on Acoustics, Speech and Signal Processing (ICASSP), 2023-06-04, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Federated Learning-Based Jamming Detection for Distributed Tactical Wireless Networks
    Meftah, Aida ; Kaddoum, Georges ; et al.
    In: MILCOM 2022 - 2022 IEEE Military Communications Conference (MILCOM), 2022-11-28, S. 629-634
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    TWN insider|lavender tube your gay guide to television.
    In: Weekly News: South Florida's Gay Community Newspaper, Jg. 28 (2004-12-02), Heft 13, S. 36-36
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    TWN insider|out & about your arts & entertainment calendar.
    In: Weekly News: South Florida's Gay Community Newspaper, Jg. 28 (2004-12-02), Heft 13, S. 26-26
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Globalization and The WTO Doha Agenda: Impact on Development : WTO public forum; how can the WTO help harness globalisation?
    Third World Network (TWN)
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Characterization of nitridated layers and their effect on the growth and quality of GaN : III-V nitrides
    Uchida, K. ; Watanabe, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 135-140
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Dependence of the HPVE GaN epilayer on GaN buffer layer for GaN direct growth on (001) GaAs substrate : III-V nitrides
    Tsuchiya, H. ; Takeuchi, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 333-338
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Gallium incorporation kinetics during gas-source molecular beam epitaxy growth of GaN : III-V nitrides
    Evans, K. R. ; Lei, T. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 339-344
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Stacking mismatch boundaries in GaN: implications for substrate selection : III-V nitrides
    Smith, D. J. ; Tsen, S.-C. Y. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 349-352
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Cubic GaN formation using dimethylhydrazine and an etching method : III-V nitrides
    Yoshida, S. ; Sasaki, M.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 327-332
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Formation and etching of thin nitride layers on GaAs using atomic nitrogen and hydrogen : III-V nitrides
    Makimoto, T. ; Kobayashi, N.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 345-348
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Critical layer thickness of GaN thin layers embedded in GaAs : III-V nitrides
    Sato, M.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 323-326
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Microdisk laser structures formed in III-V nitride epilayers : III-V nitrides
    Zavada, J. M. ; Abernathy, C. R. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 353-357
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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