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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Impact of Vth Instability on Time-Resolved Characteristics of MIS-HEMT-Based GaN Power IC
    Bi, L. ; Jiang, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-10-01), Heft 10, S. 1440-1443
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 82 öffnen
    Guiding charge injection in Schottky-barrier transistors through the spatial Fermi-level gradients of heterogeneous bimetallic systemsElectronic supplementary information (ESI) available: Fig. S1: schematic diagrams of the energy relations for the HBS-based thin film. Fig. S2: an example of the Vto extraction. Fig. S3: the ID1/2vs. VG plots of (a) the IGZO SB-TFTs with the M1/M2 SD electrodes and the IGZO ohmic TFT and (b) those with the M2/M1 SD electrodes. Fig. S4: (a) the H(VG) vs. VG plots and (b) I1/mDvs. VG plots of the IGZO SB-TFTs with the M1/M2 SD electrodes and the IGZO ohmic TFT. The corresponding (c) Vth, (d) μ0, eff, and RCW values in the M1/M2 case. (e) The H(VG) vs. VG plots and (f) I1/mDvs. VG plots of the IGZO SB-TFTs with the M2/M1 SD electrodes. The corresponding (g) Vth, (h) μ0, eff, and RCW values in the M1/M2 case. Schematic diagrams of the energy relations (i) for a variation in the Φb, i accompanied by charge depletion in the semiconductor layer, and those for (j) a variation in the Φb, i followed by an increase in the RC. Fig. S5: (a) the UPS spectra in the secondary-electron cut-off regions in the M1/M2 case (10 nm-M1/10 nm-M2, 20 nm-M1/20 nm-M2, and 30 nm-M1/30 nm-M2), and (b) those in the M2/M1 case (10 nm-M2/10 nm-M1, 20 nm-M2/20 nm-M1, and 30 nm-M2/30 nm-M1). Fig. S6: (a) the UPS spectra in the secondary-electron cut-off regions in the M1/M2 case (30 nm-M1/30 nm-M2 and 60 nm-M1/30 nm-M2), and (b) those in the M2/M1 case (30 nm-M2/30 nm-M1 and 60 nm-M2/30 nm-M1). Fig. S7: the output characteristic curves of (a) the ohmic TFT and (b) the SB-TFT with the 80 nm-M1/10 nm-M2 SD electrodes, respectively. (c) The normalized IDvs. VD plots of the IGZO SB-TFT and the IGZO ohmic TFT. Fig. S8. (a) The output characteristic curves and (b) output conductance of the ohmic TFT in a small-VD region. (c)–(e): the G-function analyses. (c) The output characteristic curves, (d) output conductance with linear fit lines, and (e) extracted RC of the SB-TFT with the 40 nm-M1/30 nm-M2 SD electrodes in a small-VD region. Fig. S9: comparison between the experimental and simulated transfer characteristics of the IGZO TFTs with the ohmic and M1/M2 SD contacts. Fig. S10: (a) the transfer characteristic curves of the pentacene SB-TFTs with the M1/M2 SD electrodes and the pentacene ohmic TFT, (b) the corresponding Vto values, and (c) the transfer characteristic curves of the IGZO and pentacene SB-TFTs with the 80 nm-M1/10 nm-M2 SD electrodes. Fig. S11: the details for the noise-margin calculation from the voltage transfer characteristic of the complementary inverter. See DOI: https://doi.org/10.1039/d3tc02561f
    Kim, Min-Joong ; Kim, Woo-Seok ; et al.
    In: Journal of materials chemistry.C, Jg. 11 (2023), Heft 37, S. 12675-12684
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    Modelling SiC MOSFET module threshold voltage (VTH) and impact of parallel device ΔVTH on short circuit robustness
    Deb, A. ; Gonzalez, J. Ortiz ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    E-Mode GaN MIS-HEMT Using Ferroelectric Charge Trap Gate Stack With Low Dynamic On-Resistance and High Vth Stability by Field Plate Engineering
    Wu, J. ; Lee, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-09-01), Heft 9, S. 1268-1271
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Gate Reliability and VTH Stability Investigations of p-GaN HEMTs
    Hua, Mengyuan ; Wang, Chengcai ; et al.
    In: 2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2020-11-03, S. 1-4
    Konferenz
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  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    Modeling and Simulation of NAND Flash Memory Sensing Systems with Cell-to-Cell Vth Variations
    Choi, Nayoung ; Kim, Jaeha
    In: 2020 IEEE/ACM International Conference On Computer Aided Design (ICCAD), 2020-11-02, S. 1-8
    Konferenz
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  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Ultra-Low Voltage 4-to-2 Compressors for Near-Vth Computing
    Ranasinghe, Anuradha C. ; Gerez, Sabih H.
    In: 2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2020-10-01, S. 1-5
    Konferenz
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Low thermal budget PBTI and NBTI reliability solutions for multi-Vth CMOS RMG stacks based on atomic oxygen and hydrogen treatments
    Franco, J. ; Arimura, H. ; et al.
    In: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022-12-03, S. 1
    Konferenz
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  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    Hybrid Gate p-GaN Power HEMTs Technology for Enhanced Vth Stability
    Zhang, Chi ; Li, Sheng ; et al.
    In: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022-12-03, S. 1
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    New Phase-Change Materials by Atomic-Level Engineering the Dopants for Extremely Low Vth Drift at 85 °C and High Endurance 3D Crosspoint Memory : IBM/Macronix PCRAM Joint Project
    Cheng, H. Y. ; Grun, A. ; et al.
    In: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022-12-03, S. 1
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    High Performance Thermally Resistant FinFETs DRAM Peripheral CMOS FinFETs with VTH Tunability for Future Memories
    Ritzenthaler, R. ; Capogreco, E. ; et al.
    In: 2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2022-06-12, S. 306-307
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    Vertical Channel-All-Around (CAA) IGZO FET under 50 nm CD with High Read Current of 32.8 μA/μm (Vth + 1 V), Well-performed Thermal Stability up to 120 ℃ for Low Latency, High-density 2T0C 3D DRAM Application
    Huang, Kailiang ; Duan, Xinlv ; et al.
    In: 2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2022-06-12, S. 296-297
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    OFF-State Drain-Voltage-Stress-Induced VTH Instability in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs
    Chen, J. ; Hua, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, Jg. 9 (2021-06-01), Heft 3, S. 3686-3694
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Investigation of Vth Distribution Tails of Ground-Select-Line Cells and Edge Dummy Cells in a 3-D NAND Flash Memory
    Chou, Y. ; Wang, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2260-2264
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    Circuit techniques for mitigating short-term vth instability issues in successive approximation register (SAR) ADCs
    Choi, Won Ho ; Kim, Hoonki ; et al.
    In: 2015 IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC), 2015-09-01, S. 1-4
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    Modeling and simulation of an insulated-gate HEMT using p-SnO2 gate for high VTH design
    Yi, Bo ; Xu, Yi ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 139 (2023-09-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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