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In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-06-07), Heft 21, S. 213504-213512Online academicJournalZugriff:
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In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-06-07), S. 213504-213504Online unknownZugriff:
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In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-05-28), Heft 20, S. N.PAG- (7S.)Online academicJournalZugriff:
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High-frequency dielectric characterization of electronic defect states in co-sputtered W-doped TiO2.In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-05-28), Heft 20, S. N.PAG- (7S.)Online academicJournalZugriff:
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In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-05-28), Heft 20, S. N.PAG- (7S.)Online academicJournalZugriff:
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In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-05-28), S. 205103-205103Online unknownZugriff:
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