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    Synthesis, structural, and magnetic properties of Heusler-type Mn2-xFe1+xGe (0.0 ≤ x ≤ 1.0) alloys
    Aryal, Anil ; Dubenko, Igor ; et al.
    In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Jg. 538 (2021-11-15)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electrochemical corrosion and electrochemical migration of 64Sn-35Bi-1Ag solder doping with xGe on printed circuit boards
    Hua, L. ; Hou, H.N.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 75 (2017-08-01), S. 27-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Simultaneously enhanced strength and ductility of Cu–xGe alloys through manipulating the stacking fault energy (SFE)
    Gong, Y.L. ; Wen, C.E. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering A, Jg. 569 (2013-05-01), S. 144-149
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Thermal stability of RE 5(Si xGe 1− x) 3 plates in RE 5(Si xGe 1− x) 4 alloys, where RE = Gd and Ho
    Cao, Q. ; Chumbley, L.S. ; et al.
    In: Intermetallics, Jg. 18 (2010), Heft 5, S. 1021-1026
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    1H NMR study of the hydrogen dynamics in the (NaS)xGe(OH)4 − x·yH2O ceramic proton conductors
    Shastri, A. ; Shane, D. ; et al.
    In: Solid State Ionics, Jg. 228 (2012-11-30), S. 46-55
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural chemistry and magnetic properties of RE2[Sn xGe 1− x] 5 ( RE = Nd, Sm) and RE[Sn xGe 1− x] 2 ( RE = Gd, Tb): Four new rare-earth metal intermetallic compounds with germanium zig-zag chains and tin square-nets
    Tobash, Paul H. ; Bobev, Svilen ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 488 (2009), Heft 2, S. 511-517
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Field and temperature induced colossal strain in Gd 5(Si xGe 1− x) 4
    Hadimani, R.L. ; Bartlett, P.A. ; et al.
    In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Jg. 323 (2011), Heft 5, S. 532-534
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Evolution of SiGe nanoclusters and micro defects in the Si 1− xGe x layer fabricated by two-step ion implantation and subsequent thermal annealing
    Xu, Wenting ; Tu, Hailing ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 257 (2011), Heft 22, S. 9260-9263
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Experimental and theoretical investigation of defects at (1 0 0) Si 1−xGe x/oxide interfaces
    Houssa, M. ; Pourtois, G. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011), Heft 4, S. 383-387
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Evidence for an influence of anodic decomposition products of ionic liquids on the electrodeposition of Si xGe 1 − x semiconductor
    Al-Salman, Rihab ; Al Zoubi, Mohammad ; et al.
    In: Journal of Molecular Liquids, Jg. 160 (2011), Heft 2, S. 114-118
    academicJournal
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    Electrochemical properties of thin TiO 2 electrode on Li 1 + x Al xGe 2 − x (PO 4) 3 solid electrolyte
    Kotobuki, Masashi ; Hoshina, Keigo ; et al.
    In: Solid State Ionics, Jg. 198 (2011), Heft 1, S. 22-25
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of hydrogen concentration on the bolometric performance of sputtered a-Si xGe 1 − x :H films
    Vera-Reveles, Gustavo ; López-Luna, Edgar ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 519 (2011), Heft 19, S. 6522-6524
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Fabrication of high-Ge-fraction strained Si 1−xGe x/Si hole resonant tunneling diode using low-temperature Si 2H 6 reaction for nanometer-order ultrathin Si barriers
    Takahashi, Kuniaki ; Sakuraba, Masao ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 60 (2011), Heft 1, S. 112-115
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Neutron diffraction studies of RSn 1+ xGe 1− x ( R=Tb–Er) compounds
    Gil, A. ; Penc, B. ; et al.
    In: Journal of Solid State Chemistry, Jg. 184 (2011), Heft 7, S. 1631-1637
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Topology and chemical order in As xGe xSe 1 − 2 x glasses: A high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy study
    Golovchak, R. ; Shpotyuk, O. ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 357 (2011), Heft 19, S. 3454-3460
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Different architectures of relaxed Si 1− xGe x/Si pseudo-substrates grown by low-pressure chemical vapor deposition: Structural and morphological characteristics
    Raïssi, M. ; Regula, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 328 (2011), Heft 1, S. 18-24
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Corrosion behavior of thermoelectric clathrates α- and β-Eu 8Ga 16−xGe 30+x in air
    Pacheco, Vicente ; Cardoso-Gil, Raul ; et al.
    In: Corrosion Science, Jg. 53 (2011), Heft 7, S. 2368-2373
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Sequential IRMPD of XGe(OEt) 4− ions: Gas-phase synthesis of novel oxy-germanium anions
    Xavier, Luciano A. ; Malaspina, Thaciana V. ; et al.
    In: International Journal of Mass Spectrometry, Jg. 306 (2011), Heft 2, S. 219-226
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low thermal expansion behavior and electrical conductivity of Mn 3(Cu 0.5Si xGe 0.5− x)N at low temperatures
    Huang, Rongjin ; Wu, Zhixiong ; et al.
    In: Solid State Sciences, Jg. 12 (2010), Heft 12, S. 1977-1980
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Magnetocaloric properties of the Gd 5Si 2.05– xGe 1.95– xMn 2 x compounds
    Yüzüak, E. ; Dincer, I. ; et al.
    In: Journal of Rare Earths, Jg. 28 (2010), Heft 3, S. 477-480
    academicJournal
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