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    Low Thermal Conductivity of Bulk Amorphous Si1−xGe x Containing Nano-Sized Crystalline Particles Synthesized by Ball-Milling Process
    Ikeda, Hiroya ; Santhanakrishnan, Harish ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-02-05), S. 3260-3266
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
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    Impact of Channel, Stress-Relaxed Buffer, and S/D Si1−xGe x Stressor on the Performance of 7-nm FinFET CMOS Design with the Implementation of Stress Engineering
    Othman, N. A. F. ; Sharifah Wan Muhamad Hatta ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-01-16), S. 2337-2347
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Thermoelectric Properties and Electronic Structure of Bi- and Ag-Doped Mg<subscript>2</subscript>Si<subscript>1− x</subscript>Ge<subscript> x</subscript> Compounds.
    Mars, K. ; Ihou-Mouko, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-07-01), Heft 7, S. 1360-1364
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Thermoelectric Properties and Electronic Structure of Bi- and Ag-Doped Mg2Si1xGex Compounds.
    Mars, K. ; Ihou-Mouko, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-07-01), Heft 7, S. 1360-1364
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    Interfacial reactions and electrical properties of Hf/p-Si<subscript>0.85</subscript>Ge<subscript>0.15</subscript>
    Chung, Ming-Shaw ; Wang, Ming-Jun ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 31 (2002-05-07), Heft 5, S. 500-505
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Interfacial reactions and electrical properties of Hf/p-Si<subscript>0.85</subscript>Ge<subscript>0.15</subscript>
    Chung, Ming-Shaw ; Wang, Ming-Jun ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 31 (2002-05-01), Heft 5, S. 500-505
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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