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    Optically active centers in Si/Si<subscript>1 − x</subscript>Ge<subscript> x</subscript>:Er heterostructures containing Er<superscript>3+</superscript> ions.
    Krasilnikova, L. V. ; Strepikhova, M. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 43 (2009-07-01), Heft 7, S. 877-884
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Effect of different chemical treatments of surface on the height of Al- p-SiGe and Au- n-SiGe barriers.
    Atabaev, I. G. ; Matchanov, N. A. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 44 (2010-05-01), Heft 5, S. 605-609
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -