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    Model of intrinsic carrier concentration of strained Si/(001)Si~1~ ~-~ ~xGe~x
    Jian-Jun, S. ; He-Ming, Z. ; et al.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 59 (2010), Heft 3, S. 2064-2067
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Band structure of strained Si~1~ ~-~ ~xGe~x
    Jian-Jun, S. ; He-Ming, Z. ; et al.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 58 (2009), Heft 11, S. 7951-7956
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    A Low-Field Hole Mobility Model of Strained Si~1~ ~-~ ~xGe~x pMOSFET
    Xuefeng, Z. ; Jingping, X. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 27 (2006), Heft 11, S. 2000-2004
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -