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    Analysis of anisotropic in-plane strain behavior in condensed Si~1~−~xGe~x fin epitaxial layer using X-ray reciprocal space mapping
    Jang, Hyunchul ; Kim, Byongju ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft 3, S. 036502-36502
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Bandgap engineering of Si~1~−~xGe~x epitaxial tunnel layer for tunnel FETs
    Chen, Yi-Ju ; Tsui, Bing-Yue
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 57 (2018), Heft 8, S. 084201-84201
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Tetragonal D022Mn3+xGe Epitaxial Films Grown on MgO(100) with a Large Perpendicular Magnetic Anisotropy
    Kondo, Yukio ; Miyazaki, Terunobu ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 6 (2013-12-01), S. 123002-123002
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Near Band-Edge Photoluminescence in Strained and Relaxed Si1- xGe x/Si Quantum Wells
    Yang, Yu ; Tian, Zihua ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-04-01), S. 1884-1884
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Effects of the Mn/Co ratio on the magnetic transition and magnetocaloric properties of Mn1+xCo1?xGe alloys.
    Sheng, Ma ; Dun, Wang ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 20 (2011-08-01), Heft 8, S. 087502-87502
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Tetragonal D022 Mn3+xGe Epitaxial Films Grown on MgO(100) with a Large Perpendicular Magnetic Anisotropy.
    Mizukami, Shigemi ; Sakuma, Akimasa ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 6 (2013-12-01), Heft 12, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Insights into the Sodiation Kinetics of Si and Ge Anodes for Sodium-Ion Batteries
    zheng, jia ; Zheng, Tianye ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    On the role and modeling of compressive strain in Si-Ge interdiffusion for SiGe heterostructures.
    Dong, Yuanwei ; Chern, Winston ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 29 (2014), Heft 1, S. 15012-15021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Magnetic properties and martensitic transformation of Ni–Mn–Ge Heusler alloys from first-principles and Monte Carlo studies.
    V V Sokolovskiy ; M A Zagrebin ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 50 (2017-05-17), Heft 19, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Deformation Induced Holes in Ge-Rich SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Substrates Fabricated by Ge Condensation Process.
    Hirashita, Norio ; Moriyama, Yoshihiko ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 1 (2008-10-01), Heft 10, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Enhanced Si–Ge interdiffusion in high phosphorus-doped germanium on silicon.
    Cai, Feiyang ; Dong, Yuanwei ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 30 (2015-10-01), Heft 10, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Deformation Induced Holes in Ge-Rich SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Substrates Fabricated by Ge Condensation Process
    Nakaharai, Shu ; Hirashita, Norio ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 1 (2008-09-19), S. 101401-101401
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Enhanced Si–Ge interdiffusion in high phosphorus-doped germanium on silicon
    Guangrui Maggie Xia ; Yew Heng Tan ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 30 (2015-08-18), S. 105008-105008
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    On the role and modeling of compressive strain in Si-Ge interdiffusion for SiGe heterostructures
    Hoyt, Judy L. ; Guangrui Maggie Xia ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 29 (2013-12-20), S. 015012-15012
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effects of the Mn/Co ratio on the magnetic transition and magnetocaloric properties of Mn 1+ x Co 1− x Ge alloys
    In: Chinese Physics B, Jg. 20 (2011-08-01), S. 087502-87502
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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md 768 - 992
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