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    Exploring the infrared-sensing properties of polymorphous silicon-germanium (pm-Si xGe y:H) thin films1.
    Moreno, M. ; Torres, A. ; et al.
    In: Canadian Journal of Physics, Jg. 92 (2014-07-01), Heft 7/8, S. 565-569
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Exploring the infrared-sensing properties of polymorphous silicon-germanium (pm-Si<subscript> x</subscript>Ge<subscript> y</subscript>:H) thin films<superscript>1</superscript>.
    Moreno, M. ; Torres, A. ; et al.
    In: Canadian Journal of Physics, Jg. 92 (2014-07-01), Heft 7/8, S. 565-569
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Nachschlagewerk
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    Impact of Channel, Stress-Relaxed Buffer, and S/D Si1−xGe x Stressor on the Performance of 7-nm FinFET CMOS Design with the Implementation of Stress Engineering
    Othman, N. A. F. ; Sharifah Wan Muhamad Hatta ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-01-16), S. 2337-2347
    Online unknown
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    The Influence of the Valence Electron Concentration on the Structural Variation of the Laves Phases MgNi<subscript>2- x</subscript>Ge <subscript>x</subscript>.
    Siggelkow, Lisa ; Hlukhyy, Viktor ; et al.
    In: Zeitschrift für Anorganische und Allgemeine Chemie, Jg. 643 (2017-11-17), Heft 21, S. 1424-1430
    Online academicJournal
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    The (1-x)Ba0.85Ca0.15Zr0.08Ti0.92 —xGe lead-free ceramics with high piezoelectric activity and ultrahigh dielectric constant.
    Zeng, Fangfang ; Liu, Qibin ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 45 (2019), Heft 1, S. 1416-1419
    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Exploring the infrared-sensing properties of polymorphous silicon-germanium (pm-Si<subscript> x</subscript>Ge<subscript> y</subscript>:H) thin films<superscript>1</superscript>.
    Moreno, M. ; Torres, A. ; et al.
    In: Canadian Journal of Physics, Jg. 92 (2014-07-01), Heft 7/8, S. 565-569
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Electrochemical corrosion and electrochemical migration of 64Sn-35Bi-1Ag solder doping with xGe on printed circuit boards.
    Hua, L. ; Hou, H.N.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 75 (2017-08-01), S. 27-36
    academicJournal
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    NaRb<subscript>7</subscript>(Si<subscript>4- x</subscript>Ge <subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript> - Soluble Zintl Phases Containing Heteroatomic Tetrahedral ­[Si<subscript>4- x</subscript>Ge <subscript>x</subscript>]<superscript>4-</superscript> Clusters.
    Waibel, Markus ; Pecher, Oliver ; et al.
    In: European Journal of Inorganic Chemistry, Jg. 2013 (2013-11-15), Heft 32, S. 5541-5546
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    NaRb7(Si4- xGe x)2 - Soluble Zintl Phases Containing Heteroatomic Tetrahedral ­[Si4- xGe x]4- Clusters.
    Waibel, Markus ; Pecher, Oliver ; et al.
    In: European Journal of Inorganic Chemistry, Jg. 2013 (2013-11-15), Heft 32, S. 5541-5546
    Online academicJournal
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    Sequential IRMPD of XGe(OEt)4− ions: Gas-phase synthesis of novel oxy-germanium anions
    Xavier, Luciano A. ; Riveros, José M. ; et al.
    In: International Journal of Mass Spectrometry, Jg. 306 (2011-09-01), S. 219-226
    Online unknown
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    Modification of (Zn1+xGe)(N2Ox) Solid Solution as a Visible Light Driven Photocatalyst for Overall Water Splitting
    Domen, Kazunari ; Teramura, Kentaro ; et al.
    In: Chemistry of Materials, Jg. 19 (2007-03-23), S. 2120-2127
    Online unknown
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    Growth and properties of single crystals of Si<subscript>1 − x</subscript>Ge<subscript> x</subscript> (0 < x < 0.35) solid solutions.
    Atabaev, I. G. ; Matchanov, N. A. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 36 (2010-02-01), Heft 2, S. 115-118
    Online academicJournal
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    Properties of amorphous Si<subscript>1 − x</subscript>Ge<subscript> x</subscript>:H ( x = 0−1) films.
    Najafov, B. ; Isakov, G.
    In: Inorganic Materials, Jg. 45 (2009-07-01), Heft 7, S. 711-716
    Online academicJournal
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    Measurement of the direct energy gap of coherently strained Sn_xGe_(1–x)/Ge(001) heterostructures
    Ragan, Regina ; Atwater, Harry A.
    In: Applied Physics Letters, 77(21), 3418-3420, (2000-11-20, 2000
    academicJournal
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    SiGe HBT simulation based on mp* (T, NA, xGE) numerical model HEM
    Amon, Slavko ; Sokolic, S. ; et al.
    In: Le Journal de Physique IV, 1998-06-01, S. Pr3- (115S.)
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
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