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18.358 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    CMOS-Compatible Low-T Processing Methods for HZO-based DRAM capacitors by E-field Cycling
    Li, Yuanbiao ; Tang, Xinyi ; et al.
    In: 2024 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2024-05-12, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    La Doped HZO-Based 3D-Trench Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors With High-Endurance (>10¹²) for FeRAM Applications
    Walke, A.M. ; Popovici, M.I. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-04-01), Heft 4, S. 578-581
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Examination of Ferroelectric Domain Dynamics in HZO Under Endurance Cycling Stress
    Koo, R. ; Shin, W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-06-01), Heft 6, S. 1016-1019
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Understanding HZO Thickness Scaling in Si FeFETs: Low Operating Voltage, Fast Wake-Up, and Suppressed Charge Trapping
    Cai, Z. ; Toprasertpong, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 3633-3639
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Engineering Ferroelectric HZO With n+-Si/Ge Substrates Achieving High 2Pr=84 μC/cm2 and Endurance >1E11
    Zhao, Z. ; Chen, Y. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 71598-71605
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Charge-based Sense Demonstration in 1T-1C HZO FeRAM Arrays to Overcome CBL-induced Bank Size Limitations
    Billoint, O. ; Martin, S. ; et al.
    In: 2024 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2024-05-12, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Data Retention Insights from Joint Analysis on BEOL-Integrated HZO-Based Scaled FeCAPs and 16kbit 1T-1C FeRAM Arrays
    Laguerre, J. ; Martin, S. ; et al.
    In: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024-04-14, S. 1-7
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Dynamics of Polarization Switching in Mixed Phase Ferroelectric-Antiferroelectric HZO Thin Films
    Dahlberg, Hannes ; Wernersson, Lars-Erik
    In: ESSDERC 2023 - IEEE 53rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2023-09-11, S. 33-36
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    MgO/HZO Based Ferroelectric Tunnel Junctions for Neuromorphic Computing Applications
    Lin, H. ; Lin, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-09-01), Heft 9, S. 1444-1447
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Interfacial Layer Engineering in Sub-5-nm HZO: Enabling Low-Temperature Process, Low-Voltage Operation, and High Robustness
    Yu, E. ; Lyu, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 2962-2969
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    First Demonstration of HZO-LNOI Integrated Ferroelectric Electro-Optic Modulator and Memory to Enable Reconfigurable Photonic Systems
    Xu, Zefeng ; Chen, Chun-Kuei ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    First Demonstration of Annealing-Free Top Gate La:HZO-IGZO FeFET with Record Memory Window and Endurance
    Zeng, Min ; Hu, Qianlan ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Physical Reservoir Computing using HZO-based FeFETs for Edge-AI Applications
    Takagi, S. ; Toprasertpong, K. ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Superior retention (>1 year, 85 °C) and memory window (~1.8 V) using ultra-thin HZO FTJ with OTS selector for X-point memory applications
    Jung, Laeyong ; Lee, Jangseop ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    IL Scavenging and Recovery Strategies to Improve the Performance and Reliability of HZO-Based FeFETs
    Kim, Bong Ho ; Kim, Seong Kwang ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Development of MFMIS Gatestack with Thick Hafnium Zirconium Oxide (HZO) for Nonvolatile Memory Application
    Kang, Bohyeon ; Park, Jongseo ; et al.
    In: 2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2023-03-07, S. 1-3
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Programmable Ferroelectric HZO NEMS Mechanical Multiplier for in-Memory Computing
    Jadhav, Shubham ; Gund, Ved ; et al.
    In: 2023 IEEE 36th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS), 2023-01-15, S. 519-521
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Synthesis and Fabrication of Hafnium Zirconium Oxide (HZO) /P(VDF-TrFE) Flexible Piezoelectric Composite Films
    Taleb, Sepide ; Badillo, Miguel ; et al.
    In: 2023 IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAF), 2023-07-23, S. 1-4
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Endurance Study of Silicon-Doped Hafnium Oxide (HSO) and Zirconium-Doped Hafnium Oxide (HZO)-Based FeFET Memory
    Duhan, P. ; Ali, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 5645-5650
    Online academicJournal
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    Volltext
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Electrical Investigation of Wake-Up in High Endurance Fatigue-Free La and Y Doped HZO Metal–Ferroelectric–Metal Capacitors
    Walke, A.M. ; Popovici, M.I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4744-4749
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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