Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
84.003 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

Geographischer Bezug

84.003 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Design and analysis of 3-bit Low Power Digitally Controlled Oscillator using Pseudo-NMOS inverter
    Manju, Manju ; Kumar, Manoj ; et al.
    In: 2024 IEEE International Conference on Interdisciplinary Approaches in Technology and Management for Social Innovation (IATMSI), Jg. 2 (2024-03-14), S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    A Snapback-Free and Low-Loss RC-LIGBT With Integrated Double Self-Biased nMOS
    Chen, W. ; Li, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 3831-3837
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Process and Simulation design of Silicon-On-Insulator (SOI) NMOS
    Chen, Zih-Fei ; Lai, Yu-Sheng ; et al.
    In: 2023 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2023-10-22, S. 313-317
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    An NMOS LDO With TM-MOS and Dynamic Clamp Technique Handling Up To Sub-10-μs Short-Period Load Transient
    Ming, X. ; Kuang, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-02-01), Heft 2, S. 583-594
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Ultra-low $I_{Q}$ Fully Integrated NMOS LDO with Enhanced Load Regulation and Startup for RF Energy Harvesting Sensors
    Zheng, Puyang ; Sha, Xiao ; et al.
    In: 2023 IEEE 66th International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS), 2023-08-06, S. 885-889
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A Wide Input Range All-NMOS Rectifier With Gate Voltage Boosting Technique for Wireless Power Transfer
    Li, X. ; Wang, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 4023-4027
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A Wide-Load-Range and High-Slew Capacitor-Less NMOS LDO With Adaptive-Gain Nested Miller Compensation and Pre-Emphasis Inverse Biasing
    Park, H. ; Jung, W. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-10-01), Heft 10, S. 2696-2708
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 2.5 pJ/bit PVT-Tolerant True Random Number Generator Based on Native-NMOS-Regulated Ring Oscillator
    Luo, Y. ; Zhang, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 3927-3931
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Monolithic All-1.8 V-Thin-Gate-NMOS KY-Boost Converter With Reused Flying-Capacitor Bootstrap Gate Driver Achieving 94.42% Peak Efficiency
    Tsai, C. ; Hsu, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Power Electronics, Jg. 39 (2024-06-01), Heft 6, S. 7238-7251
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Snapback-Free and High-Performance Trench Gate Reverse-Conducting SOI-LIGBT With Self-Adaptive nMOS
    Li, W. ; Huang, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 2517-2523
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Study of Improvement for Substrate Current in High-Voltage NMOS with Shallow Trench Isolation
    Zhao, Bocheng ; Tian, Zhi ; et al.
    In: 2024 Conference of Science and Technology for Integrated Circuits (CSTIC), 2024-03-17, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Reducing Power Dissipation in Adiabatic ECRL Inverter Based on All-NMOS Transistors
    Olanite, Ayodeji ; Musa, Sarhan M.
    In: 2024 International Conference on Green Energy, Computing and Sustainable Technology (GECOST), 2024-01-17, S. 174-179
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Fully Integrated High-Efficiency All-NMOS Charge Pump for Wide Input Range Ultra-Low Dropout Regulator
    Wu, Tong ; Zhu, Lei ; et al.
    In: 2023 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA), 2023-10-27, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Technical Difficulties and Optimization Methods of Nmos Share CT IN Contact Hole Etching
    Zhu, Peng ; Xu, Renhui ; et al.
    In: 2023 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2023-06-26, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Fast-Transient Output-Capacitorless NMOS LDO With Dynamic Load Range Adaptation / 빠른 과도응답 속도를 가지며 출력 커패시터가 없는 동적 부하 범위 적응형 NMOS LDO
    이재헌 / Lee, Jaeheon
    2023
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High Mobility TMD NMOS and PMOS Transistors and GAA Architecture for Ultimate CMOS Scaling
    Penumatcha, A. ; O'Brien, K. P. ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Exploring manufacturability of novel 2D channel materials: 300 mm wafer-scale 2D NMOS & PMOS using MoS2, WS2, & WSe2
    Dorow, C. J. ; Schram, T. ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Comparative Analysis of High-k Gate Dielectrics on 30nm Fully Depleted Silicon on Insulator (FD SOI) MOSFET and NMOS Devices
    Tabashum, Labiba ; Ibrahim, Zisan ; et al.
    In: 2023 6th International Conference on Electrical Information and Communication Technology (EICT), 2023-12-07, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Anomalous Hot Carrier Injection Induced Degradation of Drain Current in High-Voltage NMOS with Shallow Trench Isolation
    Zhao, Bocheng ; Tian, Zhi ; et al.
    In: 2024 Conference of Science and Technology for Integrated Circuits (CSTIC), 2024-03-17, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    6.11 A 320x240 CMOS LiDAR Sensor with 6-Transistor nMOS-Only SPAD Analog Front-End and Area-Efficient Priority Histogram Memory
    Kim, Minkyung ; Seo, Hyeongseok ; et al.
    In: 2024 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Jg. 67 (2024-02-18), S. 120-122
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -