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    New Strained LDMOS With Ultralow ON-Resistance by Si1−yCy Source Stressor for About 20 V Low-Voltage Applications
    Li, M. ; Duan, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 4998-5004
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Amorphous Si1−yCy composite anode materials: ab initio molecular dynamics for behaviors of Li and Na in the frameworkElectronic supplementary information (ESI) available: Calculation details and plots for diffusion coefficients (Li and Na), theoretical capacity evaluations, structural evolutions, and pair correlation functions of a-Si1−yCy. See DOI: 10.1039/d0cp05934j
    Hur, Jaewoong
    In: Physical chemistry chemical physics, Jg. 23 (2021), Heft 9, S. 5571-5577
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Disilane and trimethylsilane as precursors for RP-CVD growth of Si1−yCy epilayers on Si(001)
    Colston, Gerard ; Myronov, Maksym ; et al.
    In: EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2015, S. 225-228
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Strained Si/Si<subscript>1−y</subscript>C<subscript>y</subscript> superlattice based quasi-read avalanche transit-time devices for terahertz ultrafast switches
    Chatterjee, Sulagna ; Mukherjee, Moumita
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 127 (2021-02-01), Heft 2
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Determination of uniaxial stress of embedded Si1−yCy source/drain nMOSFETs using numerical simulation techniques
    Biswas, Abhijit
    In: 2009 International Conference on Emerging Trends in Electronic and Photonic Devices & Systems, 2009-12-01, S. 45
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    New Strained LDMOS With Ultralow ON-Resistance by Si<subscript>1−y</subscript>C<subscript>y</subscript> Source Stressor for About 20 V Low-Voltage Applications.
    Li, Mingzhe ; Duan, Baoxing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 4998-5004
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Radiation tolerance of Si1 − yCy source/drain n-type metal oxide semiconductor field effect transistors with different carbon concentrations
    Nakashima, Toshiyuki ; Asai, Yuki ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 557 (2014-04-30), S. 307-310
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Carbon re-incorporation in phosphorus-doped Si1−yCy epitaxial layers during thermal annealing
    Chang, Hung-Tai ; Lin, I.-Ping ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 553 (2013-03-15), S. 30-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Normal pressure synthesis of (Tl1−yCy)Ba2Ca3Cu4O12−δ superconductor
    Khan, Nawazish A. ; Ahmad, Shakeel ; et al.
    In: Solid State Sciences, Jg. 14 (2012-10-01), Heft 10, S. 1458-1461
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Electrical properties of Si<subscript>1−x−y</subscript>Ge<subscript>x</subscript>C<subscript>y</subscript> and Ge<subscript>1−y</subscript>C<subscript>y</subscript> alloys
    Chen, F. ; Tröger, R. T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-12-01), Heft 12, S. 1371-1375
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Critical Analysis of Different Techniques for Measuring Strain in Sil-yCy Layers Grown by CVD on a Si Substrate : Advanced gate stack, source-drain and channel engineering for si-based CMOS; new materials, processes, and equipment
    Cherkashin, N. ; Gouye, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 13 (2008), Heft 1, S. 299-306
    Konferenz
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    Amorphous Si1−yCy composite anode materials: ab initio molecular dynamics for behaviors of Li and Na in the framework
    Hur, Jaewoong
    In: Physical Chemistry Chemical Physics, Jg. 23 (2021), S. 5571-5577
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Strained Si channel NMOSFETs using a stress field with Si1−yCy source and drain stressors : International conference on silicon epitaxy and hetrostructures (ICSI-4)
    Chang, S. T. ; Tasi, H. S. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 508 (2006), Heft NO 1-2, S. 333-337
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Fabrication and characterization of strained Si1−yCy n-MOSFETs grown by Hot Wire Cell method : International conference on silicon epitaxy and hetrostructures (ICSI-4)
    Ishihara, H. ; Watahiki, T. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 508 (2006), Heft NO 1-2, S. 329-332
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Growth of strain relaxed Si1−yCy on Si buffer layer by gas-source MBE : International conference on silicon epitaxy and hetrostructures (ICSI-4)
    Ishihara, H. ; Murano, M. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 508 (2006), Heft NO 1-2, S. 99-102
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Defect suppression of indium end-of-range during solid phase epitaxy annealing using Si1−yCy in silicon : ICMAT 2005; Materials and Advanced Technologies; Silicon microelectronics: processing to packaging
    Tan, C. F. ; Chor, E. F. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 504 (2006), Heft 1/2, S. 132-135
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Therapeutic Efficacy of YCY on CCL4-induced Liver Dysfunction in Rats.
    Chai, Hee-Youl ; Woon-kwon ; et al.
    In: Journal of Veterinary Science 학술대회발표집, Jg. 2003 (2003-10-17), Heft 47, S. 40-41
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Poster Display : Protective Effects of YCY against Hepatotoxicity Induced by 2,3,7,8-Tetrachlorodibenzo-p-dioxin (TCDD) in Rats
    Kwon, Woon ; Hee Youl Chai ; et al.
    In: 한국수의병리학회 학술발표논문집, Jg. 2003 (2003-10-17), S. 46-46
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Poster Display : Therapeutic Efficacy of YCY on CCl4-induced Liver Dysfunction in Rats
    Hee Youl Chai ; Kwon, Woon ; et al.
    In: 한국수의병리학회 학술발표논문집, Jg. 2003 (2003-10-17), S. 45-45
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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