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    From 65 nm to 28 nm CMOS: design of analog building blocks of frontend channels for pixel sensors in high-energy physics experiments
    Traversi, Gianluca ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: e+i Elektrotechnik und Informationstechnik, Jg. 141 (2024-03-01), Heft 1, S. 11-19
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Open-source design of integrated circuits: An open-sourced 1.44-MS/s 703-μW 12-bit non-binary SAR-ADC using 448-aF capacitors in 130-nm CMOS
    Fath, Patrick ; Moser, Manuel ; et al.
    In: e+i Elektrotechnik und Informationstechnik, Jg. 141 (2024-03-01), Heft 1, S. 76-87
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Bias dependence in statistical random telegraph noise analysis based on nanoscale CMOS ring oscillators
    Ramazanoglu, Semih ; Michalowska-Forsyth, Alicja ; et al.
    In: e+i Elektrotechnik und Informationstechnik, Jg. 141 (2024-03-01), Heft 1, S. 37-46
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Study and Design of an Efficient Rectifier and DC Voltage Limiter of a UHF RFID Tag Passive in 180nm CMOS Technology
    Sahel, Zahra ; Bendali, Abdelhak ; et al.
    In: 2024 International Conference on Global Aeronautical Engineering and Satellite Technology (GAST), 2024-04-24, S. 1-6
    Konferenz
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    An 830-MHz CMOS Switch-Mode Power Amplifier Under Time-Multiplexing Outphasing Operation
    Nakatani, Toshifumi ; Wambach, Travis ; et al.
    In: 2024 IEEE Wireless and Microwave Technology Conference (WAMICON), 2024-04-15, S. 1-4
    Konferenz
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    On-Chip Characterization of Random Telegraph Signal Noise in Bulk 90 nm CMOS
    Kim, J. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024-04-14, S. 1-6
    Konferenz
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    Characterization of 14nm CMOS Technology At Cryogenic Temperatures Using Dense Addressable Arrays
    Robertazzi, R. ; Frank, D. ; et al.
    In: 2024 IEEE 42nd VLSI Test Symposium (VTS), 2024-04-22, S. 1-7
    Konferenz
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    The Pursuit of Practical Applications of THz CMOS Chips (Invited)
    Han, Ruonan
    In: 2024 IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC), 2024-04-21, S. 1-7
    Konferenz
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    Design of 224Gb/s DSP-Based Transceiver in CMOS Technology: Signal Integrity, Architecture, Circuits, and Packaging
    Kim, Jihwan ; Cohen, Ariel ; et al.
    In: 2024 IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC), 2024-04-21, S. 1-8
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Physical Modeling of Perimeter-Gated SPADs in Standard Deep Submicron CMOS Processes
    Hasan, Sajid ; Shawkat, Shamim Ara
    In: 2024 IEEE 17th Dallas Circuits and Systems Conference (DCAS), 2024-04-19, S. 1-5
    Konferenz
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    A 5T Half-SRAM Design for Cold CMOS Physical Unclonable Function Applications and Beyond
    Kanj, Rouwaida ; Kawa, Jamil
    In: 2024 25th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED), 2024-04-03, S. 1-8
    Konferenz
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    Analysis and compensation of stress effects on CMOS reference current sources
    Žamboki, Andro ; Gočan, Leo ; et al.
    In: e+i Elektrotechnik und Informationstechnik, Jg. 141 (2024-03-01), Heft 1, S. 29-36
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    A 3.75Mb Embedded RRAM IP on 40nm High-Voltage CMOS Technology
    He, Yuan ; Ma, Chengxiang ; et al.
    In: 2024 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2024-05-12, S. 1-4
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Power-up Self Auto Calibration of High Speed SAR Converter in a 22nm FD-SOI CMOS Process
    Rezazadehshabilouyoliya, Vahid ; Kizmaz, Muhammed Mustafa ; et al.
    In: 2024 IEEE 42nd VLSI Test Symposium (VTS), 2024-04-22, S. 1-5
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The Impact of Well-Edge Proximity Effect on PMOS Threshold Voltage in Various Submicron CMOS Technologies
    Grochowska, Marika ; Pleskacz, Witold A.
    In: 2024 27th International Symposium on Design & Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS), 2024-04-03, S. 37-40
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A D-Band Power Amplifier With 60-GHz Large-Signal Bandwidth and 7.6% Peak PAE in 28-nm CMOS
    Yan, Z. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-05-01), Heft 5, S. 540-543
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Sub-5mW Monolithic CMOS-MEMS Thermal Flow Sensing SoC With ±6 m/s Linear Range
    Xu, W. ; Li, Z. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-05-01), Heft 5, S. 1486-1496
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 4-to-6-GHz Cryogenic CMOS LNA With 4.4-K Average Noise Temperature in 22-nm FDSOI
    Das, S. ; Raman, S. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-04-01), Heft 4, S. 411-414
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 28GHz, Switched-Cascode, Class E Amplifier in 22nm CMOS FDSOI Technology
    Elsayed, N. ; Makhsuci, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of Microwaves, Jg. 4 (2024-04-01), Heft 2, S. 246-252
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    A 521pW, 0.016%/V Line Sensitivity Self-Biased CMOS Voltage Reference With DIBL Effect Compensation Using Adaptive VGS Control
    Yu, K. ; Yang, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 1754-1758
    Online academicJournal
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