First principles calculations of point defect diffusion in CdS buffer layers: Implications for Cu(In,Ga)(Se,S)2 and Cu2ZnSn(Se,S)4-based thin-film photovoltaics.

Varley, J. B. ; Lordi, V. ; et al.

In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-01-14), Heft 2, S. 25703-1- (9S.)

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Titel:	First principles calculations of point defect diffusion in CdS buffer layers: Implications for Cu(In,Ga)(Se,S)2 and Cu2ZnSn(Se,S)4-based thin-film photovoltaics.
Autor/in / Beteiligte Person:	Varley, J. B. ; Lordi, V. ; He, X. ; Rockett, A.
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen?
Zeitschrift:	Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-01-14), Heft 2, S. 25703-1- (9S.)
Veröffentlichung:	2016
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0021-8979 (print)
DOI:	10.1063/1.4939656
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Applied Science & Technology Source Sprachen: English

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