Electrical Properties of Metal-Induced Laterally Crystallized p-Type LTPS-TFT With High- $\kappa $ ZrTiO4 Gate Dielectric Featuring Low Equivalent-Oxide-Thickness.

Park, Jae Hyo ; Han, Ji Su ; et al.

In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), Heft 6, S. 2391-2397

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Titel:	Electrical Properties of Metal-Induced Laterally Crystallized p-Type LTPS-TFT With High- $\kappa $ ZrTiO4 Gate Dielectric Featuring Low Equivalent-Oxide-Thickness.
Autor/in / Beteiligte Person:	Park, Jae Hyo ; Han, Ji Su ; Joo, Seung Ki
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), Heft 6, S. 2391-2397
Veröffentlichung:	2016
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9383 (print)
DOI:	10.1109/TED.2016.2544862
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Applied Science & Technology Source Sprachen: English

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