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Analysis of a Direct-Bandgap GeSn-Based MQW Transistor Laser for Mid-Infrared Applications.

Basu, Rikmantra ; Kaur, Jaspinder ; et al.
In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-10-01), Heft 10, S. 6335-6346
Online academicJournal

Titel:
Analysis of a Direct-Bandgap GeSn-Based MQW Transistor Laser for Mid-Infrared Applications.
Autor/in / Beteiligte Person: Basu, Rikmantra ; Kaur, Jaspinder ; Sharma, Ajay K.
Link:
Zeitschrift: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-10-01), Heft 10, S. 6335-6346
Veröffentlichung: 2019
Medientyp: academicJournal
ISSN: 0361-5235 (print)
DOI: 10.1007/s11664-019-07418-w
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: Applied Science & Technology Source
  • Sprachen: English

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