Combined (Si) and (Ge) FinFET-CMOS Inverter Characterization Based on Driver to Load Transistor Ratio.

Hashim, Yasir ; Hussein, Safwan Mawlood

In: Journal of Nano- & Electronic Physics, Jg. 14 (2022-09-01), Heft 5, S. 1-6

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Titel:	Combined (Si) and (Ge) FinFET-CMOS Inverter Characterization Based on Driver to Load Transistor Ratio.
Autor/in / Beteiligte Person:	Hashim, Yasir ; Hussein, Safwan Mawlood
Link:	Volltext (PDF)
Zeitschrift:	Journal of Nano- & Electronic Physics, Jg. 14 (2022-09-01), Heft 5, S. 1-6
Veröffentlichung:	2022
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	2077-6772 (print)
DOI:	10.21272/jnep.14(5).05003
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Applied Science & Technology Source Sprachen: English

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