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High Resistivity and High Mobility in Localized Beryllium-Doped InAlAs/InGaAs Superlattices Grown at Low Temperature.
In: Crystals (2073-4352), Jg. 13 (2023-10-01), Heft 10, S. 1417-1427
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academicJournal
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Titel: |
High Resistivity and High Mobility in Localized Beryllium-Doped InAlAs/InGaAs Superlattices Grown at Low Temperature.
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Autor/in / Beteiligte Person: | Dai, Deyan ; Liu, Hanqing ; Su, Xiangbin ; Shang, Xiangjun ; Li, Shulun ; Ni, Haiqiao ; Niu, Zhichuan |
Link: | |
Zeitschrift: | Crystals (2073-4352), Jg. 13 (2023-10-01), Heft 10, S. 1417-1427 |
Veröffentlichung: | 2023 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 2073-4352 (print) |
DOI: | 10.3390/cryst13101417 |
Sonstiges: |
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