Suppression of dislocation formation in silicon by carbon implantation.
In: Applied Physics Letters, Jg. 67 (1995-11-06), Heft 19, S. 2857-2859
Online
academicJournal
Zugriff:
Titel: |
Suppression of dislocation formation in silicon by carbon implantation.
|
---|---|
Autor/in / Beteiligte Person: | Simpson, T.W. ; Goldberg, R.D. |
Link: | |
Zeitschrift: | Applied Physics Letters, Jg. 67 (1995-11-06), Heft 19, S. 2857-2859 |
Veröffentlichung: | 1995 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0003-6951 (print) |
DOI: | 10.1063/1.114808 |
Sonstiges: |
|