Rational methodological approach to evaluation of dose resistance of CMOS microcircuits with respect to low intensity effects.

Boychenko, D. ; Kalashnikov, O. ; et al.

In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 1-7

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A rational methodological approach to the evaluation of the total dose hardness of CMOS microcircuits with respect to low dose rate effects supported by the results of the simulation analysis and experimental studies of a wide range of products is presented. This approach makes it possible to choose the necessary and sufficient amount of radiation researches that provide accurate and informative engineering evaluation of radiation hardness of CMOS microcircuits for use in space hardware. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Titel:	Rational methodological approach to evaluation of dose resistance of CMOS microcircuits with respect to low intensity effects.
Autor/in / Beteiligte Person:	Boychenko, D. ; Kalashnikov, O. ; Karakozov, A. ; Nikiforov, A.
Link:	View record at Springer (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen?
Zeitschrift:	Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 1-7
Veröffentlichung:	2015
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1063-7397 (print)
DOI:	10.1134/S1063739715010035
Schlagwort:	EUROPEAN Space Agency CMOS integrated circuits HARDNESS testing ELECTRIC equipment in space vehicles ELECTRIC resistance DOSE-response relationship in ionizing radiation COMPUTER simulation CMOS integrated circuits * HARDNESS testing * ELECTRIC equipment in space vehicles * ELECTRIC resistance * DOSE-response relationship in ionizing radiation *
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Academic Search Index Sprachen: English

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