THE CHARGE CARRIER CAPTURE EMISSION PROCESS - THE MAIN SOURCE OF THE LOWFREQUENCY NOISE IN HOMOGENEOUS SEMICONDUCTORS.
In: Lithuanian Journal of Physics, Jg. 56 (2016-10-01), Heft 4, S. 200-206
Online
academicJournal
Zugriff:
The possibility of determination of the number of localized capture centers of defects (relaxators) that cause low-frequency noise in a particular frequency range has been investigated. Here it is shown that a minimum number of relaxators is needed to generate 1/f type low-frequency noise only when relaxation times are arbitrarily distributed one-by-one in every two-octave range. The expression for estimation of the low-frequency noise level of the sample under test is presented. The presented expression for 1/f noise explains not only the noise level dependence both on the frequency and number of defects in the sample but also the observed noise intensity dependence on the mobility of free charge carriers. It is shown that the main source that causes low-frequency noise in homogeneous semiconductors is the charge carrier capture-emission process. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Atlikta detali homogeninių mediagų emadanio (1/f) triukmo analizė parodė, kad tiriamojo bandinio varos fliuktuacijų spektrinio tankio atvirktinis proporcingumas laisvųjų krūvininkų skaičiui bandinyje gali būti vertinamas tik kaip atvirktinis proporcingumas bandinio tūriui. Matavimo ir skaičiavimo rezultatai rodo, kad emadanio triukmo spektras vienareikmikai gali būti ireiktas Lorenco pavidalo spektrais, įskaitant atsitiktinai pasiskirsčiusias relaksacijų trukmes labai plačiame intervale. Įvertintas maiausias relaksatorių skaičius, galintis sukurti 1/f pavidalo triukmo spektrą tam tikrame danių intervale. Parodyta, kad krūvininkų judrio fliuktuacijos gali pasireikti tik kaip antrinis reikinys, atsirandantis defektuose kintant sklaidos centrų skaičiui dėl krūvininkų pagavimo ir jų ilaisvinimo i lokalizuotų centrų. Pateikta kiekybinė iraika, leidianti pagal imatuotą emadanį triukmą tam tikrame danių intervale įvertinti aktyvių pagavimo centrų skaičių bandinyje, lemiantį imatuotą triukmą. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Titel: |
THE CHARGE CARRIER CAPTURE EMISSION PROCESS - THE MAIN SOURCE OF THE LOWFREQUENCY NOISE IN HOMOGENEOUS SEMICONDUCTORS.
|
---|---|
Autor/in / Beteiligte Person: | Palenskis, V. |
Link: | |
Zeitschrift: | Lithuanian Journal of Physics, Jg. 56 (2016-10-01), Heft 4, S. 200-206 |
Veröffentlichung: | 2016 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 1648-8504 (print) |
Schlagwort: |
|
Sonstiges: |
|