NEW DESIGN METHODOLOGIES FOR HIGH PERFORMANCE RF CMOS.

Vye, David ; Kim, Sean ; et al.

In: Microwave Journal, Jg. 49 (2006-11-01), Heft 11, S. 148-153

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The article discusses several innovative design methodologies for high-performance radio frequency (RF) complementary metal oxide semiconductors (CMOS) in 2006. It includes information on passive component modeling and synthesis, on-chip component coupling and tool requirements for high-performance RF design in CMOS.

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Titel:	NEW DESIGN METHODOLOGIES FOR HIGH PERFORMANCE RF CMOS.
Autor/in / Beteiligte Person:	Vye, David ; Kim, Sean ; Soung Ho Myoung ; Yun, Jason ; Jeung, Charlie
Link:	Volltext (PDF)
Zeitschrift:	Microwave Journal, Jg. 49 (2006-11-01), Heft 11, S. 148-153
Veröffentlichung:	2006
Medientyp:	serialPeriodical
ISSN:	0192-6225 (print)
Schlagwort:	COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors RADIO frequency integrated circuits DIGITAL electronics LOGIC circuits ELECTRONIC industries COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors * RADIO frequency integrated circuits * DIGITAL electronics * LOGIC circuits *
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Academic Search Index Sprachen: English

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