Separation of Lateral Migration Components by Hole During the Short-Term Retention Operation in 3-D NAND Flash Memories.

Kim, Shinkeun ; Kim, Haesoo ; et al.

In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 2645-2647

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Titel:	Separation of Lateral Migration Components by Hole During the Short-Term Retention Operation in 3-D NAND Flash Memories.
Autor/in / Beteiligte Person:	Kim, Shinkeun ; Kim, Haesoo ; Woo, Changbeom ; Choi, Gil-Bok ; Seo, Moon-Sik ; Shim, Hyunyoung ; Noh, Keum Hwan ; Shin, Hyungcheol
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 2645-2647
Veröffentlichung:	2020
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9383 (print)
DOI:	10.1109/TED.2020.2989734
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Business Source Ultimate Sprachen: English

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