GaAs-based nanoneedle light emitting diode and avalanche photodiode monolithically integrated on a silicon substrate.

Chuang, LC ; Sedgwick, FG ; et al.

In: Nano letters, Jg. 11 (2011-02-09), Heft 2, S. 385-90

academicJournal

Monolithic integration of III-V compound semiconductor devices with silicon CMOS integrated circuits has been hindered by large lattice mismatches and incompatible processing due to high III-V epitaxy temperatures. We report the first GaAs-based avalanche photodiodes (APDs) and light emitting diodes, directly grown on silicon at a very low, CMOS-compatible temperature and fabricated using conventional microfabrication techniques. The APDs exhibit an extraordinarily large multiplication factor at low voltage resulting from the unique needle shape and growth mode.

Titel:	GaAs-based nanoneedle light emitting diode and avalanche photodiode monolithically integrated on a silicon substrate.
Autor/in / Beteiligte Person:	Chuang, LC ; Sedgwick, FG ; Chen, R ; Ko, WS ; Moewe, M ; Ng, KW ; Tran, TT ; Chang-Hasnain, C
Zeitschrift:	Nano letters, Jg. 11 (2011-02-09), Heft 2, S. 385-90
Veröffentlichung:	Washington, DC : American Chemical Society, c2001-, 2011
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1530-6992 (electronic)
DOI:	10.1021/nl102988w
Schlagwort:	Crystallization methods Equipment Design Equipment Failure Analysis Nanostructures ultrastructure Particle Size Silicon chemistry Systems Integration Arsenicals chemistry Gallium chemistry Lighting instrumentation Nanostructures chemistry Nanotechnology instrumentation Photometry instrumentation Semiconductors
Sonstiges:	Nachgewiesen in: MEDLINE Sprachen: English Publication Type: Journal Article; Research Support, Non-U.S. Gov't; Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. Language: English [Nano Lett] 2011 Feb 09; Vol. 11 (2), pp. 385-90. <i>Date of Electronic Publication: </i>2010 Dec 21. MeSH Terms: Semiconductors* ; Arsenicals / chemistry ; Gallium / chemistry ; Lighting / instrumentation ; Nanostructures / chemistry ; Nanotechnology / instrumentation ; Photometry / instrumentation ; Crystallization / methods ; Equipment Design ; Equipment Failure Analysis ; Nanostructures / ultrastructure ; Particle Size ; Silicon / chemistry ; Systems Integration Substance Nomenclature: 0 (Arsenicals) ; 27FC46GA44 (gallium arsenide) ; CH46OC8YV4 (Gallium) ; Z4152N8IUI (Silicon) Entry Date(s): Date Created: 20101223 Date Completed: 20110519 Latest Revision: 20200930 Update Code: 20240513

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