Improving CMOS-compatible Germanium photodetectors.

Li, G ; Luo, Y ; et al.

In: Optics express, Jg. 20 (2012-11-19), Heft 24, S. 26345-50

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We report design improvements for evanescently coupled Germanium photodetectors grown at low temperature. The resulting photodetectors with 10 μm Ge length manufactured in a commercial CMOS process achieve >0.8 A/W responsivity over the entire C-band, with a device capacitance of <7 fF based on measured data.

Titel:	Improving CMOS-compatible Germanium photodetectors.
Autor/in / Beteiligte Person:	Li, G ; Luo, Y ; Zheng, X ; Masini, G ; Mekis, A ; Sahni, S ; Thacker, H ; Yao, J ; Shubin, I ; Raj, K ; Cunningham, JE ; Krishnamoorthy, AV
Link:	Full Text Finder (Volltext)
Zeitschrift:	Optics express, Jg. 20 (2012-11-19), Heft 24, S. 26345-50
Veröffentlichung:	Washington, DC : Optica Publishing Group ; <i>Original Publication</i>: Washington, DC : Optical Society of America, 1997-, 2012
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1094-4087 (electronic)
DOI:	10.1364/OE.20.026345
Schlagwort:	Computer-Aided Design Equipment Design Humans Amplifiers, Electronic Germanium chemistry Light Optical Devices Semiconductors Surface Plasmon Resonance instrumentation
Sonstiges:	Nachgewiesen in: MEDLINE Sprachen: English Publication Type: Comparative Study; Journal Article; Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. Language: English [Opt Express] 2012 Nov 19; Vol. 20 (24), pp. 26345-50. MeSH Terms: Amplifiers, Electronic* ; Light* ; Optical Devices* ; Semiconductors* ; Germanium / chemistry ; Surface Plasmon Resonance / instrumentation ; Computer-Aided Design ; Equipment Design ; Humans Substance Nomenclature: 00072J7XWS (Germanium) Entry Date(s): Date Created: 20121129 Date Completed: 20130528 Latest Revision: 20181023 Update Code: 20240513

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