Sonstiges: |
- Nachgewiesen in: MEDLINE
- Sprachen: English
- Publication Type: Journal Article
- Language: English
- [Small] 2023 May; Vol. 19 (19), pp. e2207927. <i>Date of Electronic Publication: </i>2023 Feb 07.
- References: M. Lundstrom, Science 2003, 299, 210. ; T. Skotnicki, J. A. Hutchby, T.-J. King, H.-S. Wong, F. Boeuf, IEEE Circuits and Devices Mag. 2005, 21. ; K. Banerjee, S. J. Souri, P. Kapur, K. C. Saraswat, Proc. IEEE 2001, 89, 602. ; A. B. Sachid, M. Tosun, S. B. Desai, C. Y. Hsu, D. H. Lien, S. R. Madhvapathy, Y. Z. Chen, M. Hettick, J. S. Kang, Y. Zeng, J. H. He, E. Y. Chang, Y. L. Chueh, A. Javey, C. Hu, Adv. Mater. 2016, 28, 2547. ; L. Zhou, K. Xu, A. Zubair, A. D. Liao, W. Fang, F. Ouyang, Y. H. Lee, K. Ueno, R. Saito, T. Palacios, J. Kong, M. S. Dresselhaus, J. Am. Chem. Soc. 2015, 137, 11892. ; L. Liu, T. Li, L. Ma, W. Li, S. Gao, W. Sun, R. Dong, X. Zou, D. Fan, L. Shao, C. Gu, N. Dai, Z. Yu, X. Chen, X. Tu, Y. Nie, P. Wang, J. Wang, Y. Shi, X. Wang, Nature 2022, 605. ; Y. M. Chang, S. H. Yang, C. Y. Lin, C. H. Chen, C. H. Lien, W. B. Jian, K. Ueno, Y. W. Suen, K. Tsukagoshi, Y. F. Lin, Adv. Mater. 2018, 30, 1706995. ; Y. J. Park, A. K. Katiyar, A. T. Hoang, J. H. Ahn, Small 2019, 15, 1901772. ; G. Fiori, F. Bonaccorso, G. Iannaccone, T. Palacios, D. Neumaier, A. Seabaugh, S. K. Banerjee, L. Colombo, Nat. Nanotechnol. 2014, 9, 768. ; J. Pu, K. Funahashi, C. H. Chen, M. Y. Li, L. J. Li, T. Takenobu, Adv. Mater. 2016, 28, 4111. ; Y. Liu, X. Duan, Y. Huang, X. Duan, Chem. Soc. Rev. 2018, 47, 6388. ; W. Hu, J. Yang, J Mater Chem 2017, 5, 12289. ; W. Cao, J. K. Jiang, X. J. Xie, A. Pal, J. H. Chu, J. H. Kang, K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Devices 2018, 65, 4109. ; A. Pezeshki, S. H. Hosseini Shokouh, P. J. Jeon, I. Shackery, J. S. Kim, I. K. Oh, S. C. Jun, H. Kim, S. Im, ACS Nano 2016, 10, 1118. ; Y. Cho, J. H. Park, M. Kim, Y. Jeong, S. Yu, J. Y. Lim, Y. Yi, S. Im, Nano Lett. 2019, 19, 2456. ; P. J. Jeon, J. S. Kim, J. Y. Lim, Y. Cho, A. Pezeshki, H. S. Lee, S. Yu, S. W. Min, S. Im, ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 22333. ; J. Y. Lim, A. Pezeshki, S. Oh, J. S. Kim, Y. T. Lee, S. Yu, D. K. Hwang, G. H. Lee, H. J. Choi, S. Im, Adv. Mater. 2017, 29, 1701798. ; S. Liu, K. Yuan, X. Xu, R. Yin, D. Y. Lin, Y. Li, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y. Meng, L. Dai, Y. Ye, Adv. Electron. Mater. 2019, 5, 1800419. ; S. G. Seo, S. H. Jin, Phys. Status Solidi RRL 2019, 13, 1900317. ; J. Wang, X. Guo, Z. Yu, Z. Ma, Y. Liu, Z. Lin, M. Chan, Y. Zhu, X. Wang, Y. Chai, Adv. Funct. Mater. 2020, 30, 2003859. ; Q. Zhang, X.-F. Wang, S.-H. Shen, Q. Lu, X. Liu, H. Li, J. Zheng, C.-P. Yu, X. Zhong, L. Gu, T.-L. Ren, L. Jiao, Nat. Electron. 2019, 2, 164. ; Y. Xia, L. Zong, Y. Pan, X. Chen, L. Zhou, Y. Song, L. Tong, X. Guo, J. Ma, S. Gou, Z. Xu, S. Dai, D. W. Zhang, P. Zhou, Y. Ye, W. Bao, Small 2022, 18, 2107650. ; Y. Wan, H. Zhang, K. Zhang, Y. Wang, B. Sheng, X. Wang, L. Dai, ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8, 18570. ; Y. Wan, J. Xiao, J. Li, X. Fang, K. Zhang, L. Fu, P. Li, Z. Song, H. Zhang, Y. Wang, M. Zhao, J. Lu, N. Tang, G. Ran, X. Zhang, Y. Ye, L. Dai, Adv. Mater. 2018, 30, 1703888. ; Y. Wan, Z. Zhang, X. Xu, Z. Zhang, P. Li, X. Fang, K. Zhang, K. Yuan, K. Liu, G. Ran, Y. Li, Y. Ye, L. Dai, Nano Energy 2018, 51, 786. ; X. Xu, S. Chen, S. Liu, X. Cheng, W. Xu, P. Li, Y. Wan, S. Yang, W. Gong, K. Yuan, P. Gao, Y. Ye, L. Dai, J. Am. Chem. Soc. 2019, 141, 2128. ; X. Xu, S. Liu, B. Han, Y. Han, K. Yuan, W. Xu, X. Yao, P. Li, S. Yang, W. Gong, D. A. Muller, P. Gao, Y. Ye, L. Dai, Nano Lett. 2019, 19, 6845. ; W. Du, X. Jia, Z. Cheng, W. Xu, Y. Li, L. Dai, iScience 2021, 24, 103491. ; N. Kaushik, D. Karmakar, A. Nipane, S. Karande, S. Lodha, ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8, 256. ; A. Leonhardt, D. Chiappe, V. V. Afanas'ev, S. El Kazzi, I. Shlyakhov, T. Conard, A. Franquet, C. Huyghebaert, S. de Gendt, ACS Appl. Mater. Interfaces 2019, 11, 42697. ; Y. G. You, D. H. Shin, J. H. Ryu, E. E. B. Campbell, H. J. Chung, S. H. Jhang, Nanotechnology 2021, 32, 505702. ; G. Lin, M.-Q. Zhao, M. Jia, J. Zhang, P. Cui, L. Wei, H. Zhao, A. T. C. Johnson, L. Gundlach, Y. Zeng, J. Phys. D: Appl. Phys. 2020, 53, 105103. ; X. Chen, Y. Xie, Y. Sheng, H. Tang, Z. Wang, Y. Wang, Y. Wang, F. Liao, J. Ma, X. Guo, L. Tong, H. Liu, H. Liu, T. Wu, J. Cao, S. Bu, H. Shen, F. Bai, D. Huang, J. Deng, A. Riaud, Z. Xu, C. Wu, S. Xing, Y. Lu, S. Ma, Z. Sun, Z. Xue, Z. Di, X. Gong, et al., Nat. Commun. 2021, 12, 5953. ; Y. Yu, C. Li, Y. Liu, L. Su, Y. Zhang, L. Cao, Sci. Rep. 2013, 3, 1866. ; X. L. Xu, Y. Pan, S. Liu, B. Han, P. F. Gu, S. H. Li, W. J. Xu, Y. X. Peng, Z. Han, J. Chen, P. Gao, Y. Ye, Science 2021, 372, 195. ; V. K. Nagareddy, T. J. Octon, N. J. Townsend, S. Russo, M. F. Craciun, C. D. Wright, Adv. Funct. Mater. 2018, 28, 1804434. ; Z. Cheng, H. Zhang, S. T. Le, H. Abuzaid, G. Li, L. Cao, A. V. Davydov, A. D. Franklin, C. A. Richter, ACS Nano 2022, 16, 5316. ; L. Zheng, X. Cheng, Z. Wang, C. Xia, D. Cao, L. Shen, Q. Wang, Y. Yu, D. Shen, J. Phys. Chem. C 2015, 119, 5995. ; X. Xu, B. Han, S. Liu, S. Yang, X. Jia, W. Xu, P. Gao, Y. Ye, L. Dai, Adv. Mater. 2020, 32, 2000236. ; W. S. Leong, H. Wang, J. Yeo, F. J. Martin-Martinez, A. Zubair, P.-C. Shen, Y. Mao, T. Palacios, M. J. Buehler, J.-Y. Hong, J. Kong, Nat. Commun. 2019, 10, 867. ; D. Rhodes, S. H. Chae, R. Ribeiro-Palau, J. Hone, Nat. Mater. 2019, 18, 541.
- Grant Information: 2022YFA1604302 National Key Research and Development Program of China; 62174005 National Natural Science Foundation of China; 61874003 National Natural Science Foundation of China; 61521004 National Natural Science Foundation of China
- Contributed Indexing: Keywords: 3D integration; complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inverter; n-MoS 2 and p-MoTe 2; power consumption; voltage gain
- Entry Date(s): Date Created: 20230207 Date Completed: 20230510 Latest Revision: 20230510
- Update Code: 20240513
|