| Sonstiges: |
- Nachgewiesen in: MEDLINE
- Sprachen: English
- Publication Type: Journal Article; Review
- Language: English
- [Small] 2024 Mar; Vol. 20 (9), pp. e2305271. <i>Date of Electronic Publication: </i>2023 Oct 20.
- References: D. Martin, J. Müller, T. Schenk, T. M. Arruda, A. Kumar, E. Strelcov, E. Yurchuk, S. Müller, D. Pohl, U. Schröder, S. V. Kalinin, T. Mikolajick, Adv. Mater. 2014, 26, 8198. ; T. Mikolajick, M. H. Park, L. Begon-Lours, S. Slesazeck, Adv. Mater. 2022, 2206042. ; M. H. Park, Y. H. Lee, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, J. Müller, A. Kersch, U. Schroeder, T. Mikolajick, C. S. Hwang, Adv. Mater. 2015, 27, 1811. ; M. B. Smith, K. Page, T. Siegrist, P. L. Redmond, E. C. Walter, R. Seshadri, L. E. Brus, M. L. Steigerwald, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 6955. ; F. Cüppers, K. Hirai, H. Funakubo, Nano Convergence 2022, 9, 1. ; J. Hur, Y.-C. Luo, A. Lu, T.-H. Wang, S. Li, A. I. Khan, S. Yu, Adv. Intell. Syst. 2022, 4, 2100258. ; Y. Lee, H. Alex Hsain, S. S. Fields, S. T. Jaszewski, M. D. Horgan, P. G. Edgington, J. F. Ihlefeld, G. N. Parsons, J. L. Jones, Appl. Phys. Lett. 2021, 118, 012903. ; S. F. Lombardo, M. Tian, K. Chae, J. Hur, N. Tasneem, S. Yu, K. Cho, A. C. Kummel, J. Kacher, A. I. Khan, Appl. Phys. Lett. 2021, 119, 092901. ; Q. Zheng, Z. Wang, N. Gong, Z. Yu, C. Chen, Y. Cai, Q. Huang, H. Jiang, Q. Xia, R. Huang, IEEE Electron Device Lett. 2019, 40, 1309. ; Y. Lee, Y. Goh, J. Hwang, D. Das, S. Jeon, IEEE Trans. Electron Devices 2021, 68, 523. ; M. Kobayashi, J. Wu, Y. Sawabe, S. Takuya, T. Hiramoto, Nano Convergence 2022, 9, 50. ; A. H.-T. Nguyen, M.-C. Nguyen, A.-D. Nguyen, J.-Y. Yim, J.-H. Kim, N.-H. Park, S.-J. Jeon, D. Kwon, R. Choi, Nano Convergence 2022, 9, 1. ; J. Okuno, T. Kunihiro, K. Konishi, H. Maemura, Y. Shuto, F. Sugaya, M. Materano, T. Ali, K. Kuehnel, K. Seidel, in 2020 IEEE Symp. on VLSI Technology, IEEE, Piscataway, NJ 2020. ; K. Tahara, K. Toprasertpong, Y. Hikosaka, K. Nakamura, H. Saito, M. Takenaka, S. Takagi, in 2021 Symp. on VLSI Technology, IEEE, Piscataway, NJ 2021. ; J. Wu, F. Mo, T. Saraya, T. Hiramoto, M. Ochi, H. Goto, M. Kobayashi, IEEE Trans. Electron Devices 2021, 68, 6617. ; Z. Li, J. Wu, X. Mei, X. Huang, T. Saraya, T. Hiramoto, T. Takahashi, M. Uenuma, Y. Uraoka, M. Kobayashi, IEEE Electron Device Lett. 2022, 43, 1227. ; J. Hwang, M. Kim, M. Jung, T. Kim, Y. Goh, Y. Lee, S. Jeon, IEEE Trans. Electron Devices 2022, 69, 3439. ; M. Hoffmann, A. J. Tan, N. Shanker, Y.-H. Liao, L.-C. Wang, J.-H. Bae, C. Hu, S. Salahuddin, IEEE Electron Device Lett. 2022, 43, 717. ; Z. Liang, K. Tang, J. Dong, Q. Li, Y. Zhou, R. Zhu, Y. Wu, D. Han, R. Huang, in 2021 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, Piscataway, NJ 2021. ; T. Kim, J. Hwang, G. Kim, M. Jung, S. Jeon, Phys. Status Solidi RRL 2021, 15, 2100018. ; F. Mo, Y. Tagawa, C. Jin, M. Ahn, T. Saraya, T. Hiramoto, M. Kobayashi, IEEE J. Electron Devices Soc. 2020, 8, 717. ; C. Jin, K. Jang, T. Saraya, T. Hiramoto, M. Kobayashi, in 2018 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, Piscataway, NJ 2018. ; H. Bae, T. Moon, S. G. Nam, K.-H. Lee, S. Kim, S. Hong, D.-H. Choe, S. Jo, Y. Lee, J. Heo, in 2021 Symp. on VLSI Technology, IEEE, Koyto, Japan 2021. ; Z. Zhang, F. Zhang, Y. Zhang, G. Xu, Z. Wu, Q. Zhang, Y. Li, H. Yin, J. Luo, W. Wang, IEEE Electron Device Lett. 2022, 44, 64. ; Q. Luo, Y. Cheng, J. Yang, R. Cao, H. Ma, Y. Yang, R. Huang, W. Wei, Y. Zheng, T. Gong, Nat. Commun. 2020, 11, 1391. ; a. L. Esaki, R. Laibowitz, P. Stiles, IBM Tech. Discl. Bull. 1971, 13, 114. ; H.-S. Lee, W. Han, H.-Y. Chung, M. Rozenberg, K. Kim, Z. Lee, G. Y. Yeom, H.-H. Park, ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 22348. ; C. Ma, Z. Luo, W. Huang, L. Zhao, Q. Chen, Y. Lin, X. Liu, Z. Chen, C. Liu, H. Sun, Nat. Commun. 2020, 11, 1439. ; C. Yoon, J. H. Lee, S. Lee, J. H. Jeon, J. T. Jang, D. H. Kim, Y. H. Kim, B. H. Park, Nano Lett. 2017, 17, 1949. ; Z. Wen, C. Li, D. Wu, A. Li, N. Ming, Nat. Mater. 2013, 12, 617. ; Z. Luo, Z. Wang, Z. Guan, C. Ma, L. Zhao, C. Liu, H. Sun, H. Wang, Y. Lin, X. Jin, Y. Yin, X. Li, Nat. Commun. 2022, 13, 699. ; S. S. Cheema, D. Kwon, N. Shanker, R. Dos Reis, S.-L. Hsu, J. Xiao, H. Zhang, R. Wagner, A. Datar, M. R. Mccarter, C. R. Serrao, A. K. Yadav, G. Karbasian, C.-H. Hsu, A. J. Tan, L.-C. Wang, V. Thakare, X. Zhang, A. Mehta, E. Karapetrova, R. V. Chopdekar, P. Shafer, E. Arenholz, C. Hu, R. Proksch, R. Ramesh, J. Ciston, S. Salahuddin, Nature 2020, 580, 478. ; S. S. Cheema, N. Shanker, L.-C. Wang, C.-H. Hsu, S.-L. Hsu, Y.-H. Liao, M. San Jose, J. Gomez, W. Chakraborty, W. Li, J.-H. Bae, S. K. Volkman, D. Kwon, Y. Rho, G. Pinelli, R. Rastogi, D. Pipitone, C. Stull, M. Cook, B. Tyrrell, V. A. Stoica, Z. Zhang, J. W. Freeland, C. J. Tassone, A. Mehta, G. Saheli, D. Thompson, D. I. Suh, W.-T. Koo, K.-J. Nam, et al., Nature 2022, 604, 65. ; T. S. Böscke, J. Müller, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 102903. ; M. Hoffmann, F. P. G. Fengler, B. Max, U. Schroeder, S. Slesazeck, T. Mikolajick, Adv. Energy Mater. 2019, 9, 1901154. ; D. Das, V. Gaddam, S. Jeon, IEEE Electron Device Lett. 2021, 42, 331. ; F. Ali, X. Liu, D. Zhou, X. Yang, J. Xu, T. Schenk, J. Müller, U. Schroeder, F. Cao, X. Dong, J. Appl. Phys. 2017, 122, 144105. ; J. Luo, W. Xu, B. Fu, Z. Yu, M. Yang, Y. Li, Q. Huang, R. Huang, in 2022 IEEE Symp. on VLSI Technology and Circuits, IEEE, Piscataway, NJ 2022. ; J. Hwang, S. Lim, G. Kim, S.-O. Jung, S. Jeon, IEEE Electron Device Lett. 2022, 43, 1049. ; K. Ni, X. Yin, A. F. Laguna, S. Joshi, S. Dünkel, M. Trentzsch, J. Müller, S. Beyer, M. Niemier, X. S. Hu, S. Datta, Nat. Electron. 2019, 2, 521. ; B. Yi, J. Hwang, T. W. Oh, S. Jeon, S.-O. Jung, J.-W. Yang, Solid-State Electron 2023, 206, 108674. ; H. Joh, M. Jung, J. Hwang, Y. Goh, T. Jung, S. Jeon, ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 14, 1326. ; J. Luo, T. Liu, Z. Fu, X. Wei, M. Yang, L. Chen, Q. Huang, R. Huang, IEEE Electron Device Lett. 2021, 43, 308. ; T. Kim, G. Kim, Y. K. Lee, D. H. Ko, J. Hwang, S. Lee, H. Shin, Y. Jeong, S. O. Jung, S. Jeon, Adv. Funct. Mater. 2022, 2208525. ; K. Liu, B. Dang, T. Zhang, Z. Yang, L. Bao, L. Xu, C. Cheng, R. Huang, Y. Yang, Adv. Mater. 2022, 34, 2108826. ; J. Y. Park, D. H. Choe, D. H. Lee, G. T. Yu, K. Yang, S. H. Kim, G. H. Park, S. G. Nam, H. J. Lee, S. Jo, Adv. Mater. 2022, 2204904. ; D. Das, V. Gaddam, S. Jeon, IEEE Electron Device Lett. 2019, 41, 34. ; V. Gaddam, D. Das, T. Jung, S. Jeon, IEEE Electron Device Lett. 2021, 42, 812. ; M. Jung, C. Kim, J. Hwang, G. Kim, H. Shin, V. Gaddam, S. Jeon, ACS Appl. Electron. Mater. 2023. ; M. Jung, V. Gaddam, S. Jeon, Nano Convergence 2022, 9, 1. ; B. Manchon, G. Segantini, N. Baboux, P. Rojo Romeo, R. Barhoumi, I. C. Infante, F. Alibart, D. Drouin, B. Vilquin, D. Deleruyelle, Physica Status Solidi (RRL)-Rapid Research Letters 2022, 16, 2100585. ; J. Hwang, Y. Goh, S. Jeon, IEEE Electron Device Lett. 2020, 41, 1193. ; K. K. Min, J. Yu, Y. Kim, J.-H. Lee, D. Kwon, B.-G. Park, Nanotechnology 2021, 32, 495203. ; Y. Goh, J. Hwang, S. Jeon, ACS Appl. Mater. Interfaces 2020, 12, 57539. ; Y. Liu, Y. Cao, H. Zhu, L. Ji, L. Chen, Q. Sun, D. W. Zhang, IEEE Electron Device Lett. 2021, 42, 1311. ; P. Chang, G. Du, J. Kang, X. Liu, IEEE Trans. Electron Devices 2021, 68, 3526. ; H. Li, P. Chang, G. Du, J. Kang, X. Liu, in 2021 Int. Symp. on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA), IEEE, Hsinchu, Taiwan 2021. ; T. Ali, A. Sünbül, K. Mertens, R. Revello, M. Lederer, D. Lehninger, F. Müller, K. Kühnel, M. Rudolph, S. Oehler, in 2021 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), IEEE, Hsinchu, Taiwan 2021. ; A. Sunbul, T. Ali, K. Mertens, R. Revello, D. Lehninger, F. Muller, M. Lederer, K. Kuhnel, M. Rudolph, S. Oehler, R. Hoffmann, K. Zimmermann, K. Biedermann, P. Schramm, M. Czernohorsky, K. Seidel, T. Kampfe, L. M. Eng, IEEE Trans. Electron Devices 2021, 69, 808. ; A. Shekhawat, H. A. Hsain, Y. Lee, J. L. Jones, S. Moghaddam, Nanotechnology 2021, 32, 485204. ; J. Yu, K. K. Min, Y. Kim, S. Kim, S. Hwang, T.-H. Kim, C. Kim, H. Kim, J.-H. Lee, D. Kwon, B.-G. Park, Nanotechnology 2021, 32, 485202. ; S. Lim, Y. Goh, Y. K. Lee, D. H. Ko, J. Hwang, M. Kim, Y. Jeong, H. Shin, S. Jeon, S.-O. Jung, in ESSCIRC 2022-IEEE 48th European Solid State Circuits Conf. (ESSCIRC), IEEE, Milan, Italy 2022. ; Y.-C. Luo, J. Hur, S. Yu, IEEE Trans. Nanotechnol. 2021, 20, 243. ; S. Slesazeck, T. Ravsher, V. Havel, E. T. Breyer, H. Mulaosmanovic, T. Mikolajick, in 2019 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, San Francisco, CA, USA 2019. ; T. Ravsher, H. Mulaosmanovic, E. T. Breyer, V. Havel, T. Mikolajick, S. Slesazeck, in 2019 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), IEEE, Genova, Italy 2019. ; D. Pantel, M. Alexe, Phys. Rev. B 2010, 82, 134105. ; S. Dirkmann, J. Kaiser, C. Wenger, T. Mussenbrock, ACS Appl. Mater. Interfaces 2018, 10, 14857. ; H. Kang, J. Park, D. Lee, H. W. Kim, S. Jin, M. Ahn, J. Woo, Neuromorphic Comput. Eng. 2021, 1, 021001. ; V. Milo, C. Zambelli, P. Olivo, E. Pérez, M. K. Mahadevaiah, O. G. Ossorio, C. Wenger, D. Ielmini, APL Mater. 2019, 7, 081120. ; M. Ismail, M. Rasheed, C. Mahata, M. Kang, S. Kim, Nano Convergence 2023, 10, 33. ; C. Ge, K.-J. Jin, C. Wang, H.-B. Lu, C. Wang, G.-Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 063509. ; M. Si, Y. Luo, W. Chung, H. Bae, D. Zheng, J. Li, J. Qin, G. Qiu, S. Yu, P. Ye, in 2019 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, San Francisco, CA, USA 2019. ; N. Yang, H.-Y. Chen, J. Wu, T. Wu, J. Cao, X. Ling, H. Wang, J. Guo, in 2020 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, San Francisco, CA, USA 2020. ; X.-W. Shen, Y.-W. Fang, B.-B. Tian, C.-G. Duan, ACS Appl. Electron. Mater. 2019, 1, 1133. ; E. Yang, K. R. Kim, J. Chang, IEEE Electron Device Lett. 2021, 42, 1472. ; J. Yang, J. Zhou, J. Lu, Z. Luo, J. Yang, L. Shen, Mater. Horiz. 2022, 9, 1422. ; J. Wu, H.-Y. Chen, N. Yang, J. Cao, X. Yan, F. Liu, Q. Sun, X. Ling, J. Guo, H. Wang, Nat. Electron. 2020, 3, 466. ; W. Tang, X. Zhang, H. Yu, L. Gao, Q. Zhang, X. Wei, M. Hong, L. Gu, Q. Liao, Z. Kang, Z. Zhang, Y. Zhang, Small Methods 2022, 6, 2101583. ; F. Ambriz-Vargas, G. Kolhatkar, M. Broyer, A. Hadj-Youssef, R. Nouar, A. Sarkissian, R. Thomas, C. Gomez-Yáñez, M. A. Gauthier, A. Ruediger, ACS Appl. Mater. Interfaces 2017, 9, 13262. ; L. Chen, T.-Y. Wang, Y.-W. Dai, M.-Y. Cha, H. Zhu, Q.-Q. Sun, S.-J. Ding, P. Zhou, L. Chua, D. W. Zhang, Nanoscale 2018, 10, 15826. ; T.-Y. Wu, H.-H. Huang, Y.-H. Chu, C.-C. Chang, M.-H. Wu, C.-H. Hsu, C.-T. Wu, M.-C. Wu, W.-W. Wu, T.-S. Chang, in 2019 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, San Francisco, CA, USA 2019. ; J. Yoon, S. Hong, Y. W. Song, J.-H. Ahn, S.-E. Ahn, Appl. Phys. Lett. 2019, 115, 153502. ; M. C. Sulzbach, S. Estandía, X. Long, J. Lyu, N. Dix, J. Gàzquez, M. F. Chisholm, F. Sánchez, I. Fina, J. Fontcuberta, Adv. Electron. Mater. 2020, 6, 1900852. ; Y. Goh, J. Hwang, Y. Lee, M. Kim, S. Jeon, Appl. Phys. Lett. 2020, 117, 242901. ; M. Cervo Sulzbach, H. Tan, S. Estandía, J. Gàzquez, F. Sánchez, I. Fina, J. Fontcuberta, ACS Appl. Electron. Mater. 2021, 3, 3657. ; Y. Goh, J. Hwang, M. Kim, M. Jung, S. Lim, S.-O. Jung, S. Jeon, in 2021 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, San Francisco, CA, USA 2021. ; Y. Goh, J. Hwang, M. Kim, Y. Lee, M. Jung, S. Jeon, ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 59422. ; B. Prasad, V. Thakare, A. Kalitsov, Z. Zhang, B. Terris, R. Ramesh, Adv. Electron. Mater. 2021, 7, 2001074. ; X. Du, H. Sun, H. Wang, J. Li, Y. Yin, X. Li, ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 14, 1355. ; Y. González, A. Hadj Youssef, A. Dörfler, R. Katoch, A. El Mesoudy, A. Sarkissian, D. Drouin, A. Ruediger, Appl. Phys. Lett. 2021, 119, 132906. ; R. Athle, A. E. O. Persson, A. Troian, M. Borg, ACS Appl. Electron. Mater. 2022, 4, 1002. ; S. Song, W. Ham, G. Park, W. Kho, J. Kim, H. Hwang, H. B. Kim, H. Song, J. H. Ahn, S. E. Ahn, Adv. Mater. Technol. 2022, 7, 2101323. ; P. Jiao, Z. Xi, X. Zhang, Y. Han, Y. Wu, D. Wu, Appl. Phys. Lett. 2021, 118, 252901. ; M. Kobayashi, Y. Tagawa, F. Mo, T. Saraya, T. Hiramoto, IEEE J. Electron Devices Soc. 2018, 7, 134. ; Y. Goh, S. Jeon, Nanotechnology 2018, 29, 335201. ; V. Mikheev, A. Chouprik, Y. Lebedinskii, S. Zarubin, Y. Matveyev, E. Kondratyuk, M. G. Kozodaev, A. M. Markeev, A. Zenkevich, D. Negrov, ACS Appl. Mater. Interfaces 2019, 11, 32108. ; V. Mikheev, A. Chouprik, Y. Lebedinskii, S. Zarubin, A. M. Markeev, A. V. Zenkevich, D. Negrov, Nanotechnology 2020, 31, 215205. ; L. Bégon-Lours, M. Halter, Y. Popoff, Z. Yu, D. F. Falcone, B. J. Offrein, in ESSCIRC 2021-IEEE 47th European Solid State Circuits Conf. (ESSCIRC), IEEE, Grenoble, France 2021. ; Y. Goh, S. Jeon, Appl. Phys. Lett. 2018, 113, 052905. ; F. Mo, Y. Tagawa, T. Saraya, T. Hiramoto, M. Kobayashi, in 2018 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, San Francisco, CA, USA 2018. ; H. Ryu, H. Wu, F. Rao, W. Zhu, Scientific Rep. 2019, 9, 1. ; J. Hwang, Y. Goh, S. Jeon, IEEE Trans. Electron Devices 2020, 68, 841. ; X. Du, H. Sun, H. Wang, J. Li, Y. Yin, X. Li, ACS Applied Materials & Interfaces 2021, 14, 1355. ; Z. Zhou, L. Jiao, J. Zhou, Q. Kong, S. Luo, C. Sun, Z. Zheng, X. Wang, D. Zhang, G. Liu, G. Liang, X. Gong, IEEE Electron Device Lett. 2021, 43, 158. ; S. Kim, K. Lee, M.-H. Oh, J.-H. Lee, B.-G. Park, D. Kwon, IEEE Electron Device Lett. 2021, 42, 816. ; K. Lee, S. Kim, J.-H. Lee, B.-G. Park, D. Kwon, IEEE Electron Device Lett. 2021, 42, 323. ; A. Shekhawat, G. Walters, N. Yang, J. Guo, T. Nishida, S. Moghaddam, Nanotechnology 2020, 31, 39LT01. ; J. Yu, K. K. Min, Y. Kim, D. Kwon, B.-G. Park, in 2021 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), IEEE, Kyoto, Japan 2021. ; Y.-F. Chen, L.-W. Hsu, C.-W. Hu, G.-T. Lai, Y.-H. Wu, IEEE Electron Device Lett. 2021, 43, 208. ; S. S. Cheema, N. Shanker, C. H. Hsu, A. Datar, J. Bae, D. Kwon, S. Salahuddin, Adv. Electron. Mater. 2022, 8, 2100499. ; F. Liu, Y. Peng, Y. Liu, G. Han, W. Xiao, B. Tian, N. Zhong, H. Peng, C. Duan, Y. Hao, IEEE Electron Device Lett. 2021, 42, 696. ; K. K. Min, J. Yu, Y. Kim, C. S. Kim, T. Jang, S. Hwang, H. Kim, J.-H. Lee, D. Kwon, B.-G. Park, Appl. Surf. Sci. 2022, 573, 151566. ; Y. Lee, S. Song, W. Ham, S.-E. Ahn, Materials 2022, 15, 2251. ; K. Lee, J. Byun, K. Park, S. Kang, M. S. Song, J. Park, J. Lee, S. C. Chae, Appl. Mater. Today 2022, 26, 101308. ; U. Schroeder, C. S. Hwang, H. Funakubo, Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices, Woodhead Publishing, Sawston, Cambridge 2019. ; B. Max, T. Mikolajick, M. Hoffmann, S. Slesazeck, in 2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW) 2019. ; R. Fontanini, M. Segatto, M. Massarotto, R. Specogna, F. Driussi, M. Loghi, D. E. Esseni, IEEE J. Electron Devices Soc. 2021, 9, 1202. ; M. Yamaguchi, S. Fujii, Y. Kamimuta, S. Kabuyanagi, T. Ino, Y. Nakasaki, R. Takaishi, R. Ichihara, M. Saitoh, in 2018 IEEE Int. Reliability Physics Symp. (IRPS), IEEE, Burlingame, CA, USA 2018. ; B. Max, M. Hoffmann, S. Slesazeck, T. Mikolajick, in 2018 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), IEEE, Dresden, Germany 2018. ; H.-H. Huang, T.-Y. Wu, Y.-H. Chu, M.-H. Wu, C.-H. Hsu, H.-Y. Lee, S.-S. Sheu, W.-C. Lo, T.-H. Hou, in 2019 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, San Francisco, CA, USA 2019. ; K. Ota, M. Yamaguchi, R. Berdan, T. Marukame, Y. Nishi, K. Matsuo, K. Takahashi, Y. Kamiya, S. Miyano, J. Deguchi, in 2019 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, San Francisco, CA, USA 2019. ; M. C. Sulzbach, S. Estandía, J. Gàzquez, F. Sánchez, I. Fina, J. Fontcuberta, Adv. Funct. Mater. 2020, 30, 2002638. ; J. Hur, Y.-C. Luo, P. Wang, N. Tasneem, A. I. Khan, S. Yu, in 2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), IEEE, Honolulu, HI, USA 2020. ; B. Max, M. Hoffmann, H. Mulaosmanovic, S. Slesazeck, T. Mikolajick, ACS Appl. Electron. Mater. 2020, 2, 4023. ; M. Yamaguchi, S. Fujii, K. Ota, M. Saitoh, in 2020 IEEE Int. Reliability Physics Symp. (IRPS), IEEE, Dallas, TX, USA 2020. ; Y.-S. Kuo, S.-Y. Lee, C.-C. Lee, S.-W. Li, T.-S. Chao, IEEE Trans. Electron Devices 2021, 68, 879. ; V. Deshpande, K. S. Nair, M. Holzer, S. Banerjee, C. Dubourdieu, Solid-State Electron. 2021, 186, 108054. ; Y.-H. Chu, H.-H. Huang, Y.-H. Chen, C.-H. Hsu, P.-J. Tzeng, S.-S. Sheu, W.-C. Lo, C.-I. Wu, T.-H. Hou, in 2021 Int. Symp. on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA), IEEE, Hsinchu, Taiwan 2021. ; L. Bégon-Lours, M. Halter, M. Sousa, Y. Popoff, D. Dávila Pineda, D. F. Falcone, Z. Yu, S. Reidt, L. Benatti, F. M. Puglisi, B. J. Offrein, Neuromorphic Comput. Eng. 2022, 2, 024001. ; M. Hoffmann, J. A. Murdzek, S. M. George, S. Slesazeck, U. Schroeder, T. Mikolajick, Appl. Phys. Lett. 2022, 120, 122901. ; P. Chang, Y. Xie, IEEE Electron Device Lett. 2022, 44, 168. ; M. Kim, Y. Goh, J. Hwang, S. Jeon, Appl. Phys. Lett. 2021, 119, 262905. ; S. Lancaster, Q. T. Duong, E. Covi, T. Mikolajick, S. Slesazeck, in ESSCIRC 2022-IEEE 48th European Solid State Circuits Conf. (ESSCIRC), IEEE, Milan, Italy 2022. ; E. Covi, Q. T. Duong, S. Lancaster, V. Havel, J. Coignus, J. Barbot, O. Richter, P. Klein, E. Chicca, L. Grenouillet, in 2021 IEEE Int. Symp. on Circuits and Systems (ISCAS), IEEE, Daegu, Korea 2021. ; J. Okuno, T. Kunihiro, K. Konishi, H. Maemura, Y. Shuto, F. Sugaya, M. Materano, T. Ali, M. Lederer, K. Kuehnel, in 2021 IEEE Int. Memory Workshop (IMW), IEEE, Dresden, Germany 2021. ; J. Okuno, T. Kunihiro, K. Konishi, Y. Shuto, F. Sugaya, M. Materano, T. Ali, M. Lederer, K. Kuehnel, K. Seidel, T. Mikolajick, U. Schroeder, M. Tsukamoto, T. Umebayashi, IEEE J. Electron Devices Soc. 2022, 10, 778. ; X. Lyu, M. Si, P. Shrestha, K. Cheung, P. Ye, in 2019 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), 2019. ; G. H. Lee, S. Hwang, J. Yu, H. Kim, Appl. Sci. 2021, 11, 6703.
- Grant Information: RS-2023-00235655 Korea Evaluation Institute of Industrial Technology; RS-2023-00231985 Korea Evaluation Institute of Industrial Technology
- Contributed Indexing: Keywords: Hafnia; ferroelectric tunnel junctions; fluorite structures; neuromorphic devices; non-volatile memory; transport mechanism
- Entry Date(s): Date Created: 20231020 Latest Revision: 20240301
- Update Code: 20240301
|
