Phosphorus doped SiC Source Drain and SiGe channel for scaled bulk FinFETs.

Togo, M. ; Lee, J. W. ; et al.

In: 2012 International Electron Devices Meeting; 2012, p1.4-18.2.4, 0p

Konferenz

Titel:	Phosphorus doped SiC Source Drain and SiGe channel for scaled bulk FinFETs.
Autor/in / Beteiligte Person:	Togo, M. ; Lee, J. W. ; Pantisano, L. ; Chiarella, T. ; Ritzenthaler, R. ; Krom, R. ; Hikavyy, A. ; Loo, R. ; Rosseel, E. ; Brus, S. ; Maes, J. W. ; Machkaoutsan, V. ; Tolle, J. ; Eneman, G. ; Keersgieter, A. D. ; Boccardi, G. ; Mannaert, G. ; Altamirano, S. E. ; Locorotondo, S. ; Demand, M.
Quelle:	2012 International Electron Devices Meeting; 2012, p1.4-18.2.4, 0p
Veröffentlichung:	2012
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-4673-4872-0 (print)
DOI:	10.1109/IEDM.2012.6479064
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Complementary Index Sprachen: English

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