Multiple-Gate CMOS Thin-Film Transistor With Polysilicon Nanowire

Kim, Changhoon ; Kim, Sungho ; et al.

In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), S. 102-105

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An ultimately scaled multiple-gate CMOS thin-film transistor with a polysilicon (poly-Si) nanowire demonstrates feasibility for vertical integration using multiple active layers for application in the terabit memory era. The short-channel effects are suppressed using a multiple gate to wrap around the nanowire in devices with a size of a few tenths of a nanometer. The switching and output characteristics show high device performance without a crystallization process for the poly-Si nanowire.

Titel:	Multiple-Gate CMOS Thin-Film Transistor With Polysilicon Nanowire
Autor/in / Beteiligte Person:	Kim, Changhoon ; Kim, Sungho ; Han, Jin-Woo ; Jae Sub Oh ; Lee, Hyunjin ; Kwang Hee Kim ; Choi, Yang-Kyu ; Gi Sung Lee ; Yun Chang Park ; Sang Cheol Jeon ; Im, Maesoon ; Hee Mok Lee ; Yu, Lee-Eun
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) Volltext https://doi.org/10.1109/led.2007.911982
Zeitschrift:	IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), S. 102-105
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2008
Medientyp:	unknown
ISSN:	1558-0563 (print) ; 0741-3106 (print)
DOI:	10.1109/led.2007.911982
Schlagwort:	Materials science business.industry Transistor Nanowire Nanotechnology Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY Electronic, Optical and Magnetic Materials law.invention Active layer Nanoelectronics CMOS law Thin-film transistor Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS Optoelectronics Terabit Commutation Electrical and Electronic Engineering business Hardware_LOGICDESIGN
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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