Investigation of nanocontact electron properties to the semiconductor islands

Vostokov, N. V. ; Novikov, A.V. ; et al.

In: 11th International Conference 'Microwave and Telecommunication Technology'. Conference Proceedings (IEEE Cat. No.01EX487), 2002-11-13

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Distribution of charge in semiconductor islands of InAs on GaAs surface and Ge/sub x/Si/sub 1-x/ on Si surface are investigated by atomic-force microscopy method with using conductor probes. Carriers of charge are concentrated on the islands perimeter that are shown in rough current peaks in this regions. Reason of this effect are indicated. Nanodimensional contact with /spl sim/10/sup -2/ mkm/sup 2/ area to single islands are fabricated, its current-voltage characteristics are investigated.

Titel:	Investigation of nanocontact electron properties to the semiconductor islands
Autor/in / Beteiligte Person:	Vostokov, N. V. ; Novikov, A.V. ; Shashkin, V. I. ; Khrykin, O. I. ; Dryakhlushin, V. F. ; A. Yu. Klimov
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.1109/crmico.2001.961611
Zeitschrift:	11th International Conference 'Microwave and Telecommunication Technology'. Conference Proceedings (IEEE Cat. No.01EX487), 2002-11-13
Veröffentlichung:	Weber Co, 2002
Medientyp:	unknown
DOI:	10.1109/crmico.2001.961611
Schlagwort:	Materials science Condensed matter physics Silicon Atomic force microscopy business.industry chemistry.chemical_element Nanotechnology Charge (physics) Electron Gallium arsenide Conductor chemistry.chemical_compound Semiconductor chemistry Microscopy business
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE

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