Influence of losses and dispersion of the reference line of LRM on the parasitic and intrinsic element values of on-wafer transistors

J. Apolinar Reynoso-Hernandez ; Ma. Carmen Maya‐Sánchez ; et al.

In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 48 (2006), S. 701-705

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In this paper, the parasitic and intrinsic elements of the coplanar PHEMTs are determined from S-parameter measurements corrected using the classical LRM calibration technique and the improved LRM with a reference line of arbitrary length. For the first time to our knowledge, it is demonstrated that the classical LRM calibration technique overestimates the parasitic inductances. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. Microwave Opt Technol Lett 48: 701–705, 2006; Published online in Wiley InterScience (www.interscience.wiley.com). DOI 10.1002/mop.21448

Titel:	Influence of losses and dispersion of the reference line of LRM on the parasitic and intrinsic element values of on-wafer transistors
Autor/in / Beteiligte Person:	J. Apolinar Reynoso-Hernandez ; Ma. Carmen Maya‐Sánchez ; Zuniga-Juarez, J. E.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1002/mop.21448
Zeitschrift:	Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 48 (2006), S. 701-705
Veröffentlichung:	Wiley, 2006
Medientyp:	unknown
ISSN:	1098-2760 (print) ; 0895-2477 (print)
DOI:	10.1002/mop.21448
Schlagwort:	Engineering business.industry Transistor Condensed Matter Physics Atomic and Molecular Physics, and Optics Electronic, Optical and Magnetic Materials law.invention Optics law Dispersion (optics) Calibration Electronic engineering Wafer Electrical and Electronic Engineering Reference line business Microwave
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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