Chromium-doped GaAs vapor phase epitaxy

Morizane, Kenji ; Mori, Yoshifumi ; et al.

In: Journal of Crystal Growth, Jg. 47 (1979-07-01), S. 12-20

Online unknown

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Semi-insulating chromium-doped GaAs epitaxial layers were grown using a Ga/AsCl 3 /H 2 system with CrO 2 Cl 2 as a dopant. The resistivity was of the order of 10 8 ohm cm. It was shown that chromium acted as deep acceptor with an activation energy of 0.57 eV and could compensate shallow donors with a concentration of about 10 16 cm -3 . The n-type layer doped with sulfur whose carrier concentration was 1.2 x 10 17 cm -3 with a mobility of 5200 cm 2 /V sec was successively grown on the semi-insulating epitaxial layer in one run. The boundary layer was abrupt and excellent for FET application.

Titel:	Chromium-doped GaAs vapor phase epitaxy
Autor/in / Beteiligte Person:	Morizane, Kenji ; Mori, Yoshifumi ; Kato, Yoji
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1016/0022-0248(79)90153-2
Zeitschrift:	Journal of Crystal Growth, Jg. 47 (1979-07-01), S. 12-20
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 1979
Medientyp:	unknown
ISSN:	0022-0248 (print)
DOI:	10.1016/0022-0248(79)90153-2
Schlagwort:	Materials science Dopant Doping Analytical chemistry chemistry.chemical_element Activation energy Condensed Matter Physics Epitaxy Acceptor Inorganic Chemistry Chromium chemistry Electrical resistivity and conductivity Materials Chemistry Layer (electronics)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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