New pixel-shared design and split-path readout of CMOS image sensor circuits

Ho, Yung-Kuo ; Chow, Hwang-Cherng

In: 2002 IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Proceedings (Cat. No.02CH37353), 2003-06-25

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This paper reports a CMOS active pixel sensor (APS) of 128/spl times/128 resolution designed for high quantum efficiency. This kind of image sensor can be operated under 3.3 V, and use a new structure of shared-pixel and split-path readout direction. This method has the advantage that the number of transistors in each pixel is reduced to increase the fill factor by enlarging the photo-sensing area; on the other hand, it also raises the speed of readout, and is twice as fast as traditional single direction readout. In addition, we use a delta-difference sampling (DDS) for readout circuit to suppress the fixed pattern noise (FPN). The complete CMOS image sensor is implemented based on TSMC 0.35 /spl mu/m 1P4M CMOS technology.

Titel:	New pixel-shared design and split-path readout of CMOS image sensor circuits
Autor/in / Beteiligte Person:	Ho, Yung-Kuo ; Chow, Hwang-Cherng
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.1109/iscas.2002.1010385
Zeitschrift:	2002 IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Proceedings (Cat. No.02CH37353), 2003-06-25
Veröffentlichung:	IEEE, 2003
Medientyp:	unknown
DOI:	10.1109/iscas.2002.1010385
Schlagwort:	CMOS sensor Pixel Physics::Instrumentation and Detectors Computer science business.industry Photoconductivity Fixed-pattern noise Electrical engineering Photodetector Integrated circuit design CMOS Quantum efficiency Image sensor business Image resolution Electronic circuit
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE

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