Integration of NEMS resonators in a 65nm CMOS technology

Giner, J. ; Marigo, E. ; et al.

In: Microelectronic Engineering, Jg. 110 (2013-10-01), S. 246-249

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In this work we study the feasibility to obtain the smallest CMOS-NEMS resonator using a sub-100nm CMOS technology. The NEMS resonators are defined in a top-down approach using the available layers of the 65nm CMOS technology from ST Microelectronics. A combination of dry and wet etching is developed in order to release the NEMS in an in-house post-CMOS process. Two different NEMS resonators are designed: 60nmx100nm polysilicon and 90nmx180nm copper clamped-clamped beams. The designed polysilicon CC Beam with a length of [email protected], resonates at 232MHz and is capable to provide the same mass sensitivity than a bottom-up silicon nanowire.

Titel:	Integration of NEMS resonators in a 65nm CMOS technology
Autor/in / Beteiligte Person:	Giner, J. ; Marigo, E. ; Uranga, Arantxa ; Esteve, Jaume ; Muñoz-Gamarra, J. L. ; Barniol, Nuria ; Alcaine, P.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.01.038
Zeitschrift:	Microelectronic Engineering, Jg. 110 (2013-10-01), S. 246-249
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2013
Medientyp:	unknown
ISSN:	0167-9317 (print)
DOI:	10.1016/j.mee.2013.01.038
Schlagwort:	Nanoelectromechanical systems Materials science business.industry Nanotechnology Condensed Matter Physics Atomic and Molecular Physics, and Optics Surfaces, Coatings and Films Electronic, Optical and Magnetic Materials Resonator CMOS Optoelectronics Microelectronics Sensitivity (control systems) Mass sensor Electrical and Electronic Engineering Silicon nanowires business Beam (structure)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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