Monolithic integration of lattice-matched Ga(NAsP)-based laser structures on CMOS-compatible Si (001) wafers for Si-photonics applications

Stolz, Wolfgang ; Ludewig, P. ; et al.

Elsevier, 2019

Online unknown

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The present status of understanding for the novel lattice-matched Ga(NAsP)-based laser material as a possible solution for monolithically integrated optoelectronic and photonic functionalities on CMOS-compatible Si (001) substrates is summarized. The epitaxial growth by applying metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) as well as the detailed evaluation of the structural, electrical, electronic as well as optoelectronic properties are detailed. In addition, the unique integration scenario into the standard CMOS-production process for the realization of Si-photonics integrated circuits is outlined.

Titel:	Monolithic integration of lattice-matched Ga(NAsP)-based laser structures on CMOS-compatible Si (001) wafers for Si-photonics applications
Autor/in / Beteiligte Person:	Stolz, Wolfgang ; Ludewig, P. ; Volz, Kerstin
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.1016/bs.semsem.2019.07.003
Veröffentlichung:	Elsevier, 2019
Medientyp:	unknown
DOI:	10.1016/bs.semsem.2019.07.003
Schlagwort:	Materials science business.industry Integrated circuit Epitaxy Laser law.invention NASP law Lattice (order) Optoelectronics Wafer Metalorganic vapour phase epitaxy Photonics business
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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