Characterization of conduction in LTG-GaAs

Khirouni, K. ; Bourgoin, J.C. ; et al.

In: Proceedings of Semiconducting and Semi-Insulating Materials Conference, 2002-12-24

Online unknown

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The d.c. and a.c. electrical conduction has been studied in GaAs layer grown by molecular beam epitaxy between 150/spl deg/C and 400/spl deg/C. It is found that the admittance versus frequency, Y(/spl omega/), exhibits a universal behaviour. At low frequencies Y(/spl omega/) is constant, then exhibits a minimum at /spl omega//sub m/. At high frequencies Y(/spl omega/) varies linearly as /spl omega/ showing that conduction occurs via hopping. The temperature dependence of Y(0) indicates that this hopping conduction occurs in a partially filled band related to EL2 defects, the direct relationship between /spl omega//sub m/ and Y(0) demonstrates the existence of a percolation regime, i.e. of a conduction limited by insulating regions which we attribute to space charge regions developed around as precipitates.

Titel:	Characterization of conduction in LTG-GaAs
Autor/in / Beteiligte Person:	Khirouni, K. ; Bourgoin, J.C. ; Nagle, J.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.1109/sim.1996.570870
Zeitschrift:	Proceedings of Semiconducting and Semi-Insulating Materials Conference, 2002-12-24
Veröffentlichung:	IEEE, 2002
Medientyp:	unknown
DOI:	10.1109/sim.1996.570870
Schlagwort:	Electron mobility Materials science Condensed matter physics business.industry Computer Science::Software Engineering Thermal conduction Space charge Crystallographic defect Omega Gallium arsenide chemistry.chemical_compound Nonlinear Sciences::Adaptation and Self-Organizing Systems chemistry Electrical resistivity and conductivity Optoelectronics business Molecular beam epitaxy
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE

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